Transistor Bipolar
Páginas: 4 (845 palabras)
Publicado: 15 de noviembre de 2012
SEP DGEST SNEST
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MATAMOROS
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
11:00am a 12:00pmTRANSISTOR BIPOLAR
Alumno(s):Luis Eduardo Rubio Cano Num. de control:11260115
Profesor: José Luis Cuéllar Ruíz
H. MATAMOROS, TAM.29 OCTUBRE DE 2012
INTRODUCCION
El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por JohnBardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de juntura, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitosdiscretos eintegrados. Hoy en día, el uso de TBJ ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.
El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentraprácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles,equipos de refrigeración,alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
ESTRUCTURA BASICA DELTRANSISTOR
El transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo P y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de estas capas,podemos tener dos tipos de transistores:
* Transistor PNP.
* Transistor NPN.
Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de este tipo de...
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MATAMOROS
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
11:00am a 12:00pmTRANSISTOR BIPOLAR
Alumno(s):Luis Eduardo Rubio Cano Num. de control:11260115
Profesor: José Luis Cuéllar Ruíz
H. MATAMOROS, TAM.29 OCTUBRE DE 2012
INTRODUCCION
El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por JohnBardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de juntura, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitosdiscretos eintegrados. Hoy en día, el uso de TBJ ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.
El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentraprácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles,equipos de refrigeración,alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
ESTRUCTURA BASICA DELTRANSISTOR
El transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo P y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de estas capas,podemos tener dos tipos de transistores:
* Transistor PNP.
* Transistor NPN.
Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de este tipo de...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.