Transistor de efecto de campo

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UNIVERSIDAD VERACRUZANA

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA

EXPERIENCIA:

ELECTRONICA ANALOGICA

CATEDRATICO:

M. En E. V. GABRIEL JUAREZ MORALES

TEMA:

UNIDAD 3

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

POZA RICA DE HIDALGO VER; ENERO DEL 2011

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo FET se denominan así por que durante su funcionamiento laseñal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unión y para destacar el hecho de que solo un tipo de portadores – electrones o huecos interviene en su funcionamiento.

El funcionamiento de los transistores de efecto de campo de unión (JFET)se basa en el control del paso de la corriente por el campo aplicado a la puerta, constituida por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso.

FUNDAMENTOS SOBRE LOS FET

Se trata de transistores unipolares, es decir, que solo trabajan con un tipo de portadores, al contrario de los transistores estudiados hasta ahora, los cuales trabajaban con dos tipos de portadores, electrones y huecos.Estos transistores se llaman de efecto de campo porque el control de la corriente se ejerce mediante la influencia de un campo eléctrico exterior.

El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de labarra de semiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.

El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidory diodo puerta-drenador.

Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por lo que haremos una comparación de los terminales del JFET con los del transistor unipolar.

La estructura básica de un FET esta formada por un semiconductor, de tipo n. los FET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tecnología planar, según la cual el semiconductoresta formado por una capa de carácter n depositada sobre un substracto de silicio u otro semiconductor, de tipo p. un area pequeña de la superficie de esta capa epitaxial esta fundida con impurezas tambien de tipó p, y forma, junto con el substracto de silicio, el contacto de puerta. Los electrodos metalicos de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior depuerta.

Si el semiconductor es de tipo n, la polarización se hace de forma que la corriente de electrones fluya desde el contacto de surtidor, S, al drenador, D, . esto kiere decir k la tencion Vds = Vd – Vs debe ser positiva. Se dice entonces k el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando limitado el canal de baja resistencia para los electrones,estando limitado el canal de baja resistencia para los electrones, estando limitado el canal para las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las uniones p – n de la puerta. Según se ha visto en las regiones de craga espacial la concentración de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy elevada.

CIRCUITOS DE POLARIZACION

El símbolo de circuitos parael JFET de tipo n se representa en la fig. con la flecha de la puerta apuntando hacia adentro para indicar el carácter n del semiconductor. En el caso del JFET de tipo p la flecha de la puerta tiene la dirección opuesta a la figura.

Si el semiconductor es de tipo n, la polarización se hace de forma que la corriente de electrones(portadores mayoritarios) fluya desde el contacto de surtidor,...
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