Transistores Famos y Flotox

FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS).
Es la solución para la construcción de memorias no volátiles de lectura y escritura (NVRW memory), principalmente en memorias EPROM (Memorias de sólolectura eléctricamente programables).
Su estructura es similar a la de un transistor MOS convencional, excepto que una capa extra de polímero de silicio es insertada entre la compuerta y el canal.Dicha capa no está físicamente conectada al resto de la estructura del transistor, por lo que se le llama compuerta flotante. La inserción de la compuerta flotante tiene dos efectos, el primero es quereduce la transconductancia del dispositivo e incrementa el voltaje de umbral.
El dispositivo tiene la propiedad de que su voltaje de umbral puede ser programado. Si se aplica un voltaje alto(aproximadamente 10[V]) entre la fuente y el drenaje del dispositivo se crea un campo eléctrico que causa el efecto avalancha. Los electrones adquieren la energía suficiente para migrar a través del primeraislamiento de óxido, y quedan atrapados en la compuerta flotante. Debido a que los electrones son inyectados en la compuerta flotante gracias al efecto avalancha, a la estructura se le llama FAMOS(Floating-gate Avalanche-injection MOS).
Los electrones atrapados reducen el voltaje en la compuerta flotante. Cuando se retira el voltaje, la carga negativa inducida se mantiene, por lo que el voltajenegativo en la compuerta intermedia se mantiene. Lo anterior incrementa el voltaje de umbral del dispositivo, ya que para encender el dispositivo es necesario aplicar un voltaje mayor, para superar elefecto de la carga negativa inducida. Típicamente, el voltaje de umbral es de 7[V], por lo que un voltaje de 5[V] entre la compuerta y la fuente del dispositivo no son suficientes para encender, por loque a 5[V] el dispositivo se mantiene deshabilitado.
Debido a que la compuerta flotante está rodeada de óxido de silicio, el cual es un excelente aislante, la carga negativa inducida puede...