Transistores
Páginas: 6 (1498 palabras)
Publicado: 25 de noviembre de 2012
* Introducción.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Además a continuación estudiamos otros tipos de transistores, que existen en el mundo de la electrónica, sus distintas aplicaciones, sus diagramas, la forma correcta del uso de los transistores, FET, BJT, transistor de contacto puntual que son unosde los estudiados a continuación. Y de esta manera hacer buenas conexiones y uso de los distintos transistores.
* Objetivos.
- Conocer los distintos tipos de transistores
.
- Saber las aplicaciones de los transistores.
- Conocer las configuraciones.
- Conocer los diagramas.
- Conocer los funcionamientos de cadatransistor estudiado.
* El transistor.
En el año 1942, los físicos norteamericanos Bardeen, Brattain y Shockley investigando con semiconductores, descubrieron el transistor. Debido a la gran importancia de dicho descubrimiento, se le concedió en 1956 el premio nobel de física.
Exteriormente está formado por un caparazón o capsula que puede tener diferentes formas, del que salen tres patillasmetálicas, o más técnicamente dicho, tres electrodos o terminales y en algunos casos solamente dos ya que el tercer terminal lo forman el recubrimiento metálico de la capsula.
Internamente el transistor es un componente semiconductor formado por un cristal que contiene una región P entre dos regiones N (transistor NPN) o una región N entre dosregiones P (transistor PNP).
Las diferencias que hay entre los transistores PNP y NPN radica en la polaridad de sus electrodos.
* Tipos de transistores.
Transistor de contacto puntual: Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Constan de una base de germanio,semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-oxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ahí en nombre de “transfer resistor”. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar ( las puntas seajustaban a mano) frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
Transistor de unión bipolar: el transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en ingles, se fabrica básicamente sobre mono cristal de germanio, silicio o arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como losmetales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al indio (ln) aluminio ogalio y donantes N aún arsénico o fosforo.
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más contaminadoque el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.)
Funcionamiento: En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa....
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Además a continuación estudiamos otros tipos de transistores, que existen en el mundo de la electrónica, sus distintas aplicaciones, sus diagramas, la forma correcta del uso de los transistores, FET, BJT, transistor de contacto puntual que son unosde los estudiados a continuación. Y de esta manera hacer buenas conexiones y uso de los distintos transistores.
* Objetivos.
- Conocer los distintos tipos de transistores
.
- Saber las aplicaciones de los transistores.
- Conocer las configuraciones.
- Conocer los diagramas.
- Conocer los funcionamientos de cadatransistor estudiado.
* El transistor.
En el año 1942, los físicos norteamericanos Bardeen, Brattain y Shockley investigando con semiconductores, descubrieron el transistor. Debido a la gran importancia de dicho descubrimiento, se le concedió en 1956 el premio nobel de física.
Exteriormente está formado por un caparazón o capsula que puede tener diferentes formas, del que salen tres patillasmetálicas, o más técnicamente dicho, tres electrodos o terminales y en algunos casos solamente dos ya que el tercer terminal lo forman el recubrimiento metálico de la capsula.
Internamente el transistor es un componente semiconductor formado por un cristal que contiene una región P entre dos regiones N (transistor NPN) o una región N entre dosregiones P (transistor PNP).
Las diferencias que hay entre los transistores PNP y NPN radica en la polaridad de sus electrodos.
* Tipos de transistores.
Transistor de contacto puntual: Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Constan de una base de germanio,semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-oxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ahí en nombre de “transfer resistor”. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar ( las puntas seajustaban a mano) frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
Transistor de unión bipolar: el transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en ingles, se fabrica básicamente sobre mono cristal de germanio, silicio o arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como losmetales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al indio (ln) aluminio ogalio y donantes N aún arsénico o fosforo.
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más contaminadoque el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.)
Funcionamiento: En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa....
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