Transitor Bjt

Introducción
La cantidad de corriente que el transistor deja fluir de colector a emisor o de emisor a colector está dada por la corriente en la base esta grafica muestra los distintos tipos de operación del transistor bipolar dependiendo de la corriente que se le aplique en la base
Punto de saturación: Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector es máxima.Punto de trabajo o zona activa: Corresponde a la intensidad de base determinada por la malla de base del transistor y es el punto de trabajo normal con la polarización utilizada.
Punto de corte: Corresponde a una intensidad de base igual a cero. La corriente de colector es casi nula (sólo la de fugas).

Polarización del transistor. |
Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas y conectar las resistencias oportunas para que el transistor funcione dentro de los límites indicados en el diseño, de forma que la señal aplicada a la entrada no resulte deformada a la salida. |
Existen tres configuraciones fundamentales, de las cuales la más utilizada es la de emisor decomún: |
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Objetivo
Lograr polarizar correctamente un transistor bipolar para el punto Q requerido en dos distintas configuraciones, emisor común y colector común.
Trabajo previo
Requisitos para la práctica de polarización
Vcc=15v
ICQ=3mA
VCE=5v
β=200
Con las características anteriores el transistor seleccionado fue un Bc457 que tiene una beta de 110 a 800, despuésde seleccionar el transistor adecuado se procede a realizar los cálculos.
Para la configuración de emisor común.
ICQ=IBβ
IB=ICQβ=3mA200=15μA
α=ββ+1=200201=0.995
IE=ICQα=3mA0.995=3.015mA
VCC10=VE
VE=1.5v
RE=1.5v3mA=500Ω
RC=VCC-VCEQICQ-RE=15v-5v3mA-1.53mA=2833.33Ω
RTH=1+β(RE)10=201(500Ω)10=10050Ω
VTH=VE+VBE+RTHIB=1.5+0.7+10050Ω15µA=2.3507v
R1=(RTH)(VCC)VTH=10050Ω(15v)2.3507v=64.129kΩR2=(RTH)(VCC)VCC-VTH=10050kΩ(15)15-2.3507=11.917kΩ
Para la configuración de colector común o emisor seguidor.
ICQ=IBβ
IB=ICQβ=3mA200=15μA
α=ββ+1=200201=0.995
VE=2VCC3=215V3=10v
VB=VE+VBE=10v+0.7v=10.7v
RE=VEICQ=10v3mA=3.333KΩ
VB=R2VCCR1+R2
R2=VBR1VCC+VB=10.7v3.33KΩ15v-10.7v=8.211KΩ

Análisis
En este análisis se observa las diferencias que existen entre los valores calculados, losvalores comerciales y los valores reales de los componentes comerciales así como los porcentajes de error que existen entre ellos.
Formula | Valor ideal | Valor comercial | Valor real |
RE=1.5v3mA | 500Ω | 470Ω | 472 Ω |
RC=VCC-VCEQICQ-RE | 2833.33Ω | 2.70K Ω | 2.69K Ω |
R1=(RTH)(VCC)VTH | 64.129kΩ | 68K Ω | Resistencia variable* |
R2=(RTH)(VCC)VCC-VB | 11.917kΩ | 12kΩ | 11.95kΩ |

*para laresistencia R1 del circuito se coloco un potenciómetro de 100k para poder variar el punto Q y poder contrarrestar algunos cambios en los valores producidos por los valores de las resistencias comerciales.
Algunas fotografías

Calculando los valores esperados para el punto de operación utilizando los valores reales de las resistencias.
ICQ=VERE=1.5v472Ω=3.177mA
RC=VCC-VCEQICQ-REVCEQ=VCC-RE+RCICQ
VCEQ=15v-472Ω+2.69KΩ3.177mA=5.51v
| Valor ideal | Valor esperado | Valor medido |
VCEQ | 5v | 5.51v | 4.68v |
% error | 0% | 10.2% | 6.4% |
ICQ | 3mA | 3.177mA | 3.29mA |
% error | 0% | 5.9% | 9.66% |

Con la ayuda de un simulador se obtienen valores muy cercanos a los calculados anterior mente.

Valores reales obtenidos en el laboratorio.

Con el potenciómetro quese coloco en R1 se utilizo para variar esta resistencia y así poder alcanzar las características deseadas para el punto Q de operación
La corriente deseada se alcanzo con una resistencia R1 de 69.23kΩ. El voltaje deseado para el punto Q se alcanzo con una resistencia R1 de 67.3kΩ. Para llegar a un ponto medio se propuso una resistencia de 68.20kΩ

Valor R1 | Valor ICQ | Valor VCEQ |...