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PNUNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE MÉXICO Campus Sur

IMPARTIDO POR: M. en C. José Ambrosio Bastián

Teoría de Semiconductores
Estructura del átomo de Bohr

Materia: Dispositivos ElectrónicosCatedrático: José Ambrosio Bastián

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Teoría de Semiconductores
Estructura del átomo de Bohr

Materia: Dispositivos Electrónicos

Catedrático: José Ambrosio Bastián

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Modelo de bandasLa región sin sombra representa una banda prohibida de niveles de energía en los cuales no se encuentran electrones.

Materia: Dispositivos Electrónicos

Catedrático: José Ambrosio Bastián

4Modelo de bandas
En un conductor no existe banda prohibida, por lo tanto, los electrones de valencia son libres de moverse por toda la estructura. A este movimiento de electrones, usualmente enrespuesta a un potencial se le denomina conducción. La energía requerida para romper un enlace covalente esta en funcion del espaciamiento atómico del cristal, esto es cuanto mas pequeño es el átomo,tanto mas estrecho el espaciamiento y mayor energía requerida para romper los enlaces covalentes.

Materia: Dispositivos Electrónicos

Catedrático: José Ambrosio Bastián

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Modelo de bandas(NOTAS)
Ejemplos para el Silicio y el Germanio.

Materia: Dispositivos Electrónicos

Catedrático: José Ambrosio Bastián

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Semiconductores Intrinsecos y Extrinsecos
• SemiconductoresIntrínsecos: Semiconductores que son puros, por ejemplo un cristal de Si es puro si cada atomo del cristal es un atomo de Si • Semiconductores Extrínsecos: Son los producidos mediante dopaje(añadir impurezas)a un cristal intrinseco para modificar su conductividad electrica.

Materia: Dispositivos Electrónicos

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Dopaje Tipo N
• Con el fin de aumentar elnúmero de electrones libres, se añaden átomos pentavalentes al silicio. Por ejemplo el Arsenico, Antimonio y Fosforo son pentavalentes y se les conoce como impurezas donadoras. El silicio así dopado...