Unión Pn. Barrera De Potencial. Diodo
En cada zona la carga total es neutra: por cadaelectrón hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos ala unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento deportadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión:
El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antesde que llegara el electrón la carga total era nula.
Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N ynegativa en la zona P
Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp
Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn
Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de cargalibres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-Materiales-Semiconductores.php
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