CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

INTRODUCCIÓN

Los recubrimientos en las últimas décadas han tomado una gran importancia en
el desarrollo de los materiales, debido a que con el uso de éstos se ha logrado la
modificación de las características superficiales de un material, lo cual está
encaminado a mejorar las propiedades del conjunto capa -sustrato o, en otros casos,
para realizar una función específica (recubrimientosfuncionales). Se o btiene, así, un
material compuesto en el que el material base o sustrato aporta unas características
básicas, bien sea como simple soporte mecánico, o bien con unas propiedades
específicas (resistencia mecánica, polarización magnética etc., según sea el ca so),
mientras que la capa ofrece unas propiedades diferentes, y en ocasiones, muy
superiores a las del propio sustratosobre el que están depositadas. En el siguiente
informe investigaremos sobre las técnicas de Deposición química en fase Vapor.

MARCO TEÓRICO

Técnicas de deposición en fase vapor
Los procesos de deposición en fase vapor se puede dividir en dos grupos:
Deposición física en fase de vapor (PVD) y Deposición química en fase de vapor
(CVD). Los procesos de PVD son procesos de deposición denaturaleza atómica que
generalmente implican la evaporación del material que va a ser depositado (por
evaporación, “sputtering”, o láser) y su condensación sobre el sustrato para formar el
recubrimiento. Los procesos de CVD son, generalmen te, definidos como la deposición
de un material sólido, debido a la interacción de los precursores gaseosos con un
sustrato caliente y como resultado de estainteracción se producen unas reacciones
químicas que conllevan a la formación del recubrimiento .

Deposición química en fase de vapor
La deposición química en fase de vapor (CVD) es un proceso muy versátil para
la fabricación de recubrimientos, polvos, fibras , y componentes monolíticos. Esta
técnica ha alcanzado su esplendor en la década de los años 70, debido a la gran
variedad deposibilidades que ofrece, por ejemplo en el campo de la microelectrónica.
Ha sido aplicado tradicionalmente, con el objetivo de producir gran número de capas de
diferentes tipos de materiales conductores, semiconductores y aislantes. En la
actualidad, existe una gran diversidad de elementos y compuestos que pueden ser
depositados medi ante esta técnica. En la tabla 1 en los anexos se han recopiladoalgunos materiales que son depositados mediante CVD en función de su aplicaci ón.

CVD (Chemical Vapor Deposition) – Definición
El CVD se podría definir como un proceso mediante el cual se deposita un
sólido, como producto de las reacciones química s entre los reactivos en estado
gaseoso sobre una superficie que se encuentra a una elevada temperatura. Este tipo
de reacciones puedenactivarse por diferentes vías (calor, luz, plasma etc .), lo que
conlleva a la formación de un producto sólido estable. Las reacciones que tienen lugar
pueden ser de carácter homogéneo, en fase gaseosa , y/o heterogéneo, si se producen
cerca de la superficie caliente, conduciendo la formación de polvos o películas
respectivamente.
El CVD ha tomado mucha importancia porque es una técnica muy versátil,lo
que la ha llevado a convertirse en una de las más i mportantes técnicas de deposición
de capas y películas delgadas de amorfos, monocristales y policristales para un amplio
rango de aplicaciones.
Frente a otros métodos de deposición, el CVD tiene como ventaja el poder
controlar con relativa facilidad la composición del material depositado, permitiendo,
incluso, la preparación demateriales compuestos. Sin embargo, en muchos casos es
difícil fijar la estequiometria del compuesto, ya que no es posible evitar que alguno de
los subproductos quede incluido en el producto final.
Ventajas y desventajas del CVD.
Ventajas


Se pueden producir materi ales altamente densos y puros.



Películas uniformes con buena reproducibilidad y adhesión



Es posible mediante el...