Informe Curva Diodo
Páginas: 6 (1407 palabras)
Publicado: 14 de abril de 2012
CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO
Paulo Benavides.
paul_3550@hotail.com
Aura María Estrada.
aumaeslo0605@hotmail.com
Jesús Manduco.
jam2389@hotmail.com
Elkin Redondo.
elkinjose88@hotmail.com
Jennifer Quintero.
jennifer-54@hotmail.com
1. RESUMEN:
En el presente informe se dará a conocer la manera como selleva a cabo los efectos de las polarizaciones directas e inversas de un diodo semiconductor.
Comprobaremos la operación eléctrica del diodo semiconductor típico y por ultimo determinaremos la curva característica de un diodo semiconductor típico así obtendremos unos cálculos óptimos precisos y concisos para la curva del diodo
PALABRAS CLAVE:
Diodo, Semiconductor.
INTRODUCCIÓNEsta práctica se verá como un diodo que es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las características de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.
La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de lacorriente eléctrica que este fluyendo en él, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opción de ser usados en elementos electrónicos en los que estos facilitan el trabajo.
2 .OBJETIVO
General
Analizar el comportamiento y el funcionamiento básico de diodo, comprendiendo como fluye la corriente en un solo sentido, inspeccionando las polaridades que poseeneste elemento electrónico.
Específicos.
Observar los efectos de las polarizaciones directas e inversas de un diodo semiconductor.
Analizar y comprobar la operación eléctrica del diodo semiconductor típico así como su comprobación, identificación y polarización.
Determinar la curva característica de un dio semiconductor típico
3 .DIODOS
Un diodo es un componenteelectrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
3.1 DIODO SEMICONDUCTOR
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor comoel silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importanciadel diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado
N (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusión, estascorrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico(E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta
Diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La...
Paulo Benavides.
paul_3550@hotail.com
Aura María Estrada.
aumaeslo0605@hotmail.com
Jesús Manduco.
jam2389@hotmail.com
Elkin Redondo.
elkinjose88@hotmail.com
Jennifer Quintero.
jennifer-54@hotmail.com
1. RESUMEN:
En el presente informe se dará a conocer la manera como selleva a cabo los efectos de las polarizaciones directas e inversas de un diodo semiconductor.
Comprobaremos la operación eléctrica del diodo semiconductor típico y por ultimo determinaremos la curva característica de un diodo semiconductor típico así obtendremos unos cálculos óptimos precisos y concisos para la curva del diodo
PALABRAS CLAVE:
Diodo, Semiconductor.
INTRODUCCIÓNEsta práctica se verá como un diodo que es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las características de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.
La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de lacorriente eléctrica que este fluyendo en él, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opción de ser usados en elementos electrónicos en los que estos facilitan el trabajo.
2 .OBJETIVO
General
Analizar el comportamiento y el funcionamiento básico de diodo, comprendiendo como fluye la corriente en un solo sentido, inspeccionando las polaridades que poseeneste elemento electrónico.
Específicos.
Observar los efectos de las polarizaciones directas e inversas de un diodo semiconductor.
Analizar y comprobar la operación eléctrica del diodo semiconductor típico así como su comprobación, identificación y polarización.
Determinar la curva característica de un dio semiconductor típico
3 .DIODOS
Un diodo es un componenteelectrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
3.1 DIODO SEMICONDUCTOR
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor comoel silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importanciadel diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado
N (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusión, estascorrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico(E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta
Diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.