memorias RAM

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MEMORIAS RAM
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DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por
tanto la más lenta.
Usada hasta la época del 386, su velocidad típica es de 80 ó 70
nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar entrada
a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70ns que la de 80
ns.
Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos
últimos de 30 contactos.
Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o sólo "RAM"), puesto que
evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se
las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página
Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns.
Usada hasta con los primerosPentium, físicamente aparece como SIMMs
de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast
Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores
están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%,
más o menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en
forma de DIMMs de 168.

SDRAM

Memoria SDRAM
SDR SDRAM (del inglés, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, es decir, memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple).
Se comercializó en módulos de 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que
oscilaban entre los 66 y los133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM
(muy poca gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando
aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologías
fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.
La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del
sistema y está diseñada para sercapaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es
decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología
InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra
mitad está terminando el anterior.

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Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere un cachécon velocidad
suficiente como para no desperdiciar su potencial
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SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la
velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser rapidísima, de
unos 25 a 10 ns. Sólo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es
usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.
PC100: o SDRAM de 100 MHz. MemoriaSDRAM capaz de funcionar a
esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y
computadores más modernos; teóricamente se trata de unas especificaciones
mínimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha
velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las
cumplen.
PC133: o SDRAM de 133 MHz. La más moderna (y recomendable).

DDR

Módulo de memoriaDDR.

DDR, Double Data Rate, significa memoria de doble tasa de transferencia de datos en
castellano. Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos
simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una
capacidad máxima de 1Gb.
Fueron primero adoptadas en sistemasequipados con procesadores AMD Athlon. Intel
con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más
costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en
DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo
que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel
Pentium 4 que disponen de...