Mosfet

FET (Field Efect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturón o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturón se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se formauna corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturón y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitudde VGS haremos que ID disminuya o aumente, así se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.
En el FET la relación entre ID y VGS está dada por la ecuación de Schotkley:
ID = IDSS (1 - (VGS/VP))²
IDSS y VP son constantes características de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizaciónde FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el corte de la parábola de la ecuación de Schotkley y la recta de carga del circuito.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su característica más importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0.

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Ventajas y desventajas del FETLas ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so másestables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valorespequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilización de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FETexhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
1. FET de unión (JFET)
2. FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)3. FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento)



















MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor



MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada.
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamadoMOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE)
En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje(drain).
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al...