P7 EQ4

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA. UNIDAD ZACATENCO


LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

PRÁCTICA 7: CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR Y USO COMO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN (DIMMER)

PROFESOR: NAYELI RAMÓN LARA

GRUPO: 4EV1
EQUIPO: 4
INTEGRANTES DEL EQUIPO: N° DE BOLETA:

HERNANDEZ RAMIREZ JOSE DE JESUS2014300838

HERNANDEZ RIVAS RAUL OMAR 2014302245

HERRERA BALCÁZAR ALEXIS EDUARDO 2014300860

MELCHOR CASTRO ALEJANDRO 2014301171



FECHA DE REALIZACIÓN: 03 DE JUNIO DE 2015 FECHA DE ENTREGA: 10 DE JUNIO DE 2015


Objetivos:

Familiarizarse con el transistor bipolar e identificar sus tresterminales.


Estudiar las tres zonas d trabajo del transistor, corte, activa y saturación.

Recordar que el transistor bipolar funciona como una fuente de corriente controlada por corriente.
Por debajo de la corriente mínima de base, el transistor no conduce. En la zona activa el transistor amplifica la corriente de base por un factor llamado βcd.

Material.

1 Protoboard de 64 líneas.
Cabletelefónico para conexiones.
4 Puntas caimán-banana.
2 Multímetro digital.
Miliamperímetro analógico.
5 fusibles tipo americano de 1 A 250V
5 fusibles tipo americano de 0.5 A 250V
2 porta fusibles listos para conectar al circuito.
2 Potenciómetros de 10 kΩ y 2 de 10 MΩ.
1 transistor 2N2222 con su hoja de datos.
1 LED rojo.

Consideraciones teóricas.
Transistor.
es un dispositivo electrónicosemiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada.1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio yvideo, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.
Transistor bipolar.
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como losmetales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio(Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor estámucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Amperímetro.
Es un instrumento que se utiliza para medir la intensidad de corriente que está circulando por un circuitoeléctrico. Un microamperímetro está calibrado en millonésimas de amperio y un miliamperímetro en milésimas de amperio.
En términos generales, el amperímetro es un simple galvanómetro (instrumento para detectar pequeñas cantidades de corriente), con una resistencia en paralelo, llamada "resistencia shunt". Disponiendo de una gama de resistencias shunt, se puede disponer de un amperímetro con...