Transistores

Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
Escuela Académico Profesional Ingeniería Electrónica
Curso : Informática Básica
Tema : El Transistor
Profesor : Adolfo Rondán
Alumno : Walter Jesús Oyarce Palomino
Ciudad Universitaria, 5 de Noviembre del 2012

Dedicatoria
E
ste trabajo está dedicado a todas las personas que pudieron hacer que meapoyaron incondicionalmente.

Introducción 5
Capítulo I: Historia del Transistor 6
1. Objetivos iniciales 7
2. Antecedentes físicos 7
3. Origen de la denominación 8
4. Patentes de invención 8
5. Comportamiento elemental 8
6. Invenciones 8
Capítulo II: Tipos de Transistores 10
7. Transistores Bipolares 10
7.1. Estructura 11
7.2. Funcionamiento 13
7.3. Control detensión, carga y corriente 13
7.4. El Alfa y Beta del transistor 14
7.5. Transistores de Unión Bipolar 14
7.5.1. Tipo NPN 14
7.5.2. Tipo PNP 15
7.6. Regiones operativas del transistor 15
7.6.1. Región activa: 15
7.6.2. Región inversa: 16
7.6.3. Región de corte: 16
7.6.4. Región de saturación: 16
8. Transistores de efecto de campo 16
8.1. Transistor de efecto decampo de unión (JFET) 17
8.1.1. Principio de funcionamiento del NFET 18
8.1.1.1. Región de corte 18
8.1.1.2. Región lineal 19
8.1.1.2.1. Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente 19
8.1.1.2.2. Valores altos del voltaje drenaje-fuente 20
8.1.1.3. Región de saturación 21
8.1.2. Curvas características 22
8.1.3. Parámetros comerciales 23
8.1.4. modelos del transistor NJFET24
8.1.4.1. Modelo estático ideal 24
8.1.4.2. Modelo para señales alternas 26
8.1.4.2.1. Expresiones generales 26
8.1.4.2.2. Cálculo de los parámetros admitancia 27
8.2. Transistor MOSFET 27
8.2.1. Principio de operación 28
8.2.1.1. NMOS de enriquecimiento 28
8.2.1.2. NMOS de empobrecimiento 30
8.2.2. Curvas características 31
8.2.2.1. Transistor NMOS deenriquecimiento 31
8.2.2.2. Transistor NMOS de empobrecimiento 32
8.2.3. Parámetros comerciales 33
8.2.4. Modelos circuitales 33
8.2.4.1. Modelo estático de Schichman-Hodges 33
8.2.4.2. Modelo para señales alternas 34
Capítulo III: Aplicaciones de los transistores de efecto de Campo 35
9. En la electrónica Analógica: 35
10. En la electrónica Digital: 35
Índice 36
ANEXOS 37Bibliografía 40

Introducción
Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como "el mayor invento del siglo XX". Es el dispositivo electrónico básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás elementos de la alta escala de integración.
Realizando una explicación somera, podemos decir que el transistor es la contracción de Transfer Resistor, es decir, de resistencia detransferencia. Es un dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza como amplificador o conmutador electrónico. Es un componente clave en toda la electrónica moderna, donde es ampliamente utilizado formando parte de conmutadores electrónicos, puertas lógicas, memorias de ordenadores y otros dispositivos. En el caso de circuitos analógicos los transistores son utilizados como amplificadores.Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de USA en Diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain, y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Novel de Física en 1956.
En conclusión, así como la Revolución industrial del siglo XIX se establece en base a la máquina de vapor deJames Watt, puede decirse que la era de las comunicaciones ha podido establecerse en base al transistor.

Capítulo I: Historia del Transistor
La fecha exacta en que se creó fue el 16 de diciembre de 1947, cuando William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain armaron el primer transistor. Poco después, un computador compuesto por estos transistores pesaba unas 28 toneladas y consumía alrededor...