6510508 B13 Transistores NPN y PNP

Lección B13 : Transistores NPN y PNP

LECCIÓN B13: TRANSISTORES NPN y PNP

OBJETIVOS
• Reconocimiento de un transistor PNP o NPN.
• Medida de las resistencias interunión.
• Reconocimiento de los tresterminales: Base, Emisor y Colector
utilizando un óhmetro.
• Verificación de las relaciones fundamentales de corriente continua.
• Medida de la corriente de colector en función de la corriente debase.
• Cálculo de los factores de amplificación α y β.
MATERIAL
• Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod.
PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de
controlindividual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
• Módulo de experimentación mod. MCM4/EV
• Multímetro
B13.1 NOCIONES TEÓRICAS
Estructuras PNP y NPN
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la
figuraB13.1. La zona central se denomina "Base", mientras que las
zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".

fig. B13.1

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Lección B13 : Transistores NPN y PNP

Elfuncionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de
controlar la corriente que fluye entre Colector y Emisor a través de la
aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizandodirectamente la unión base-emisor e inversamente la unión basecolector.
En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencial
existentes se muestran en las figuras.

fig. B13.2Funcionamiento del Transistor PNP
En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D2 está
polarizado directamente (polo positivo en el emisor y polo negativo en
la base); en cambio, el diodocolector-base D1 está polarizado
inversamente y el colector tiene un potencial negativo respecto a la base
(figura B13.3a).
Con el circuito base-colector abierto (figura B13.3b), ya que el diodo D2
estápolarizado directamente, su barrera de potencial se reduce y de esta
forma favorece un desplazamiento de cargas positivas desde el emisor
hacia la base.
Consideremos ahora la situación en la cual el...