AMPLIFICADOR DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA CON PAR DARLINGTON










INTEGRANTES
De La Cruz Maguiña Ricardo
Díaz Cárdenas María de los Ángeles
Llontop Reluz Erika Fiorella
Zavaleta Fernández Diego


ESCUELA
Ingeniería Informática


TEMA
Amplificador de simetría complementaria con par Darlington


PROFESOR
Gonzales Cisneros Cesar Iván


FECHA DE ENTREGA
02/12/13













PROYECTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA IITÍTULO

Amplificador de simetría complementaria con par Darlington


PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

El motivo de este proyecto es que desconocemos como hacer un amplificador de simetría complementaria con par Darlington y consideramos necesario aprender a elaborarlo, así ampliar nuestros conocimientos generales.


JUSTIFICACIÓN DEL PROYECTO

Al elaborar este proyecto se deseaconocer cómo funciona el amplificador de simetría complementaria con par Darlington, que elementos son necesarios y los pasos a seguir en su elaboración.


OBJETIVOS

Objetivo General:

Conocer el funcionamiento general del circuito, identificar y utilizar de manera correcta sus componentes, para lograr el correcto funcionamiento del amplificador de simetría complementaria con par Darlington.Objetivos Específicos:

Aprender de una forma sencilla el funcionamiento y funcionalidad de los amplificadores.
Medir el voltaje de entrada y salida, analizar la ganancia obtenida.





AMPLIFICADOR DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA CON PAR DARLINGTON


Se puede diseñar un amplificador de alta ganancia de corriente utilizando la conexión de un par Darlington y transistores. Dichoamplificador se ilustra en la figura 18. Esta configuración se conoce como amplificador clase AB cuasicomplementario con par Darlington, e incorpora un par Darlington con transistores NPN y un par retroalimentado consiste en un transistor NPN y uno PNP.
Los transistores Q2 y Q4 son transistores NPN similares capaces de manejar alta potencia. Los transistores Q1 y Q3 son complementarios y no necesitanmanejar alta potencia. La carga efectiva para Q1 y Q3 es βRL (donde β es la ganancia de corriente del transistor de salida), que es grande comparada con RL. Por tanto, el punto de comparación para estos transistores es mucho menor en la línea de carga que el de los transistores Q2 y Q4.
La señal de entrada positiva provoca que Q1 conduzca, pero Q3 permanece en corte ya que se trata de untransistor PNP. Conforme la señal de entrada se hace negativa. Q1 se corta y Q3 conduce. Así, el circuito de entrada opera como el amplificador de potencia de simetría complementaria analizado antes. El resistor se puede ajustar para minimizar la distorsión de cruce por cero permitiendo que conduzcan tanto Q1 como Q2 cuando la señal de entrada está cercana a cero.

Cálculos de los valores delamplificador:
Partiendo de los valores que nos ofrece la fuente:
Vcc = 34V
I = 4ª

Hallando las resistencias R9 y R11
Las resistencias R9 y R11 se eligen de 0.33Ω. Al ser de potencia, es necesario calcular la potencia disipada:
PR9 = R x I2
PR9 = 0.33 x 42
PR9 = 5.28W
R9 y R11 son resistencias de 0.33Ω y con una capacidad de disipación superior a 5.28 W.
Por lo tanto las resistencias R9 yR11 son de 0.33Ω/10W.



Elección de los transistores

Q4 es un transistor NPN en configuración Darlington junto con Q6 y Q3 es un transistor
PNP en configuración Darlington complementario junto con Q5. Los transistores Q4 y Q6 equivalen a un transistor NPN de:

β = β1 x β2

Los transistores Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de:

β = β1 x β2

Los transistores Q5 y Q6 tienenlas siguientes características:

VCE ≥ 34V
IC ≥ 4A

Los transistores Q5 y Q6 son de potencia por eso se toman β aproximadamente a 20.
Por ejemplo se elige el 2N3055 (para Q5 y Q6). Para Q4 se elige el transistor de β = 100. Por ejemplo el 2N2222A. Para Q5, un transistor PNP de β = 100, por ejemplo el 2N2905.

Hallando la resistencia R6
Para calcular R6 se necesita saber la corriente y...