Amplificadores 1

DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (II)
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¿Por qué se usan, en microondas, diodos Schottky en vez de diodos p-n?
– La corriente viene determinada, fundamentalmente, por los portadores mayoritarios,normalmente, electrones.
– En los diodos p-n, el mecanismo de conducción de corriente viene dado por los
minoritarios.
– Cuando un diodo p-n se alimenta en directa, se almacenan portadores minoritarios en
laregión de unión; si se polariza repentinamente en inversa, antes de que el diodo
entre en corte hay que retirar la carga. Este proceso es lento como para que puedan
funcionar como rectificadores enalta frecuencia.
– Suelen tener buen comportamiento como varactores.

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Configuración básica de un diodo Schottky:
– Se construye sobre un substrato n (de Si, más común, o de AsGa), nunca p en AF.
–Por debajo de esa capa hay un contacto óhmico que hace de cátodo (Au ó Ni)
– Por encima hay una capa gruesa fuertemente dopada n+ que separa la capa epitaxial
del substrato.
– Capa epitaxial levementedopada sobre la que se deposita el metal que hace de ánodo.
– Se pueden ajustar los siguientes parámetros en el diodo: la selección del metal, forma
y área del ánodo, densidad del dopaje.
O-CAF -1- 1DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (IV)
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Diferencias entre diodos p-n y Schottky:
– Corriente de saturación tiene origen físico diferente
• Diodo p-n: ligada a la constante de difusión; valores muypequeños.
• Portadores mayoritarios: valores de corriente elevados con bajas V
– En la barrera Schottky la conducción es debida a un único movimiento de portadores
(dispositivo unipolar).
– No es importantela contribución de portadores minoritarios, por lo que la capacidad
de difusión no es importante (importante en alta frecuencia)

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Circuito equivalente del diodo Schottky:
– LS depende del hilo deconexión
– Cp depende del encapsulado

LS

– g(vj) conductancia no lineal
– Cj(v) capacidad de deplexión

 C j 0 : capacidad con V j 0
C j0

C j V j  
  V j : polarización
V

1 j
  :...