Analisis Del Transistor
Páginas: 8 (1967 palabras)
Publicado: 11 de enero de 2013
ANALISIS DEL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
INTRODUCCION
El transistor es un dispositivo semiconductor, pilar de la tecnología actual y pieza fundamental en la construcción de equipos electrónicos, los cuales hoy día hacen parte de nuestro entorno y facilitan nuestro trabajo.
Recordemos que este dispositivo fue desarrollado en los laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 porJohn Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockey.
OBJETIVOS
OBJETIVOS GENERALES
Observar el comportamiento del transistor bipolar (BJT) e implementar las diferentes configuraciones (base común, emisor común y colector común) y analizar las señales en base, colector y emisor en cada configuración, usar el transistor como switch.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Implementar uncircuito auto polarizado universal en el cual veremos el comportamiento del transistor y su respectivo análisis.
MARCO TEORICO
El término transistor es la contracción de transfer resistor, es decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza como amplificador o conmutador electrónico (llave electrónica).El transistor se utiliza, portanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y como conmutador on-off.
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente, es decir, dopadas, que forman dos junturas bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores(base). A diferencia de las válvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se los considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante mecánica cuántica, en realidad El Transistor es undispositivo cuántico.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor deamplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corrientede base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" paramodular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del tríodo, conla salvedad que en el tríodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Cátodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
Del inglés "Bipolar...
INTRODUCCION
El transistor es un dispositivo semiconductor, pilar de la tecnología actual y pieza fundamental en la construcción de equipos electrónicos, los cuales hoy día hacen parte de nuestro entorno y facilitan nuestro trabajo.
Recordemos que este dispositivo fue desarrollado en los laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 porJohn Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockey.
OBJETIVOS
OBJETIVOS GENERALES
Observar el comportamiento del transistor bipolar (BJT) e implementar las diferentes configuraciones (base común, emisor común y colector común) y analizar las señales en base, colector y emisor en cada configuración, usar el transistor como switch.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Implementar uncircuito auto polarizado universal en el cual veremos el comportamiento del transistor y su respectivo análisis.
MARCO TEORICO
El término transistor es la contracción de transfer resistor, es decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza como amplificador o conmutador electrónico (llave electrónica).El transistor se utiliza, portanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y como conmutador on-off.
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente, es decir, dopadas, que forman dos junturas bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores(base). A diferencia de las válvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se los considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante mecánica cuántica, en realidad El Transistor es undispositivo cuántico.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor deamplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corrientede base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" paramodular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del tríodo, conla salvedad que en el tríodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Cátodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
Del inglés "Bipolar...
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