Apunte Fet

INTRODUCCION
Objetivos: • Determinar las características principales de un JFET y MOSFET • Explicar el funcionamiento básico de dispositivos JFET y MOSFET. • Señalar las zonas de trabajo queutilizan los dispositivos JFET y MOSFET. • Determinar el circuito equivalente de señal pequeña de un FET.

Docente: Miguel Musalem M.

Transistor de Efecto de Campo FET. Transistores de Efecto de Campode Juntura (JFET) Tiene de tres terminales donde El terminal Gate controla el flujo de corriente entre las otras dos terminales Drain y Source.

JFET canal N

JFET canal P

Simbologíahidráulica del FET

Al generar un voltaje positivo entre Drain y Source, surgirá una corriente y un angostamiento del canal.

Si el diodo inverso entre el terminal Gate y el cuerpo del dispositivo, es losuficientemente alto, se producirá el estrangulamiento del canal impidiendo nuevos incrementos de la corriente.

Al introducir un voltaje negativo entre Gate y Source, la estrangulación del canalse realiza a valores menores de la corriente de Drain Id.

Equivalencias del FET con respecto al transistor BJT.

Polarización del JFET

Polarización por Gate: Ig = 0A y Vgs = -Vgg

Autopolarización:
Vgs = - Ids x Rs, luego

I ds  I D  I DSS  1 



VGS 2 VP



I ds  I DSS  1 



Ids Rs 2 VP



Se puede despejar Ids, quedando una ecuación de segundo grado,donde:

Otro método a utilizar es el método gráfico:

1) Consiste en graficar los valores de Vgs y Ids de la función 2) Graficar Vgs y Ids de la recta:

Vgs = - Id ∙ Rs

3) Determinar el puntode intersección entre la curva y la recta, el cual corresponde.

Polarización por división de voltaje

además, Vth = Vgs + Ids ∙ Rs

I ds  I D  I DSS  1 



VGS 2 VP



Con lasdos ecuaciones se puede despejar los valores de Ids y Vgs respectivamente por cualquiera de los métodos indicados anteriormente.

Modelo simple del JFET en señal pequeña
En el JFET se tiene su...