Apuntes de diodos

Para valores de

positivos, el primer término de la ecuación

general crecerá de forma muy rápida y sobrepasará el efecto contrario del segundo término. El resultado de esto es que para valores positivos de ritmo equivalente de Para el caso cuando vierte en 1 , será positiva y crecerá a un que aparece en la figura 1.20. 0 , la ecuación anterior se con1 1 0 como aparece en , el

la figura1-19. Para el caso de valores negativos de inferiores de discontinuidad para la condición dramático de escala de mA a µA. 0 con lo que se obtiene:

primer término de la ecuación rápidamente caerá hacia niveles , lo cual se representa con la línea horizontal de la figura 1-19, La aparece de esa forma en la gráfica debido al cambio

Observe en la figura 1-19 que el dispositivo comercialmentedisponible tiene sus características desplazadas hacia la derecha con una magnitud de algunos décimos de volt. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" del diodo y a la resistencia externa del "contacto" del mismo. Cada una de éstas resistencias contribuye a obtener un voltaje adicional con el mismo nivel de corriente

como lo determina la ley de Ohm ecuación general.

. Con el tiempo, ya medida que los métodos de

fabricación mejoren, esta diferencia será menor y las características reales se aproximarán a las de la

Es importante prestar atención al cambio en la escala del eje vertical y el horizontal. Para valores positivos de la escala se encuentra en miliamperes y la escala bajo el eje en microamperes (o , la escala para los valores positivos se encuentra posiblementeen nanoamperes). Para el caso de

en décimos de volt y para los valores negativos en decenas del mismo. A simple vista, la ecuación general podría parecer compleja y alguien podría temer que su utilización sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo. posteriormente en esta sección se realizarán varias aproximaciones, que evitarán el uso de esta ecuación, y nosfacilitarán una solución con un mínimo de dificultad matemática. Antes de abandonar el tema del estado de polarización directa, se repite en la figura 1.21 la situación de conductividad (estado "encendido") con las polaridades requeridas y la dirección del flujo de portadores mayoritarios resultante. Observe en particular la forma en que la dirección de la conducción es la misma que la que indicala flecha del símbolo (según se mostró para el diodo ideal).

Región Zener
A pesar de que la escala utilizada en la figura 1.19 se encuentra en decenas de volts para la región negativa, existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drástico en las características, como se muestra en la figura 1.22. En este punto, la corriente se incrementa a un ritmo muyrápido con una dirección opuesta a la que tiene la región de voltaje positivo. El potencial de polarización inversa que provoca este cambio dramático de las características del diodo se denomina potencial Zener y se le asigna el símbolo .

A medida que el voltaje a través del diodo se incrementa sobre la región de polarización inversa, también se incrementa la velocidad de los portadores minoritariosque son los responsables de la corriente de saturación inversa . En algunas ocasiones, su velocidad y u energía cinética asociada

serán lo suficientemente grandes como para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atómicas que en otro caso serían estables. Esto es, cuando los electrones de valencia absorban tanta energía como para abandonar su átomo, se provocará unproceso de

ionización. Estos portadores adicionales pueden entonces apoyar al proceso de ionización al punto donde se establezca un alta corriente de avalancha y se determine la región de ruptura en avalancha. La región de avalancha ( ) se puede acercar al eje vertical mediante el incremento en los niveles de dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p. Sin embargo, a medida que...