btj como amplificador



Contenido



Objetivos:
Objetivo General.
Explicar que es un transistor BJT y su respectivo funcionamiento como amplificador.
Objetivos específicos.
Definir que es transistor para asegurar la buena comprensión del tema.
Explicar que es un transistor BJT.
Definir como está formado el transistor BJT y como es su función como amplificador.
Introducción.
En este documento se tratarantemas relevantes al transistor BJT, a su respectivo funcionamiento además de ver como configurar o montar dicho transistor en un pequeño circuito para que el mismo funcione de amplificador de una señal recibida. También se explicaran términos relevantes para así asegurar la mejor comprensión del tema.
¿Qué es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizadopara producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. Este está compuesto por tres capas de semiconductor, las que cuentan con exceso de cargas negativas capa tipo n o las que cuentan con exceso de cargas positivas o tipo p. Estas capas se unen para en forma un sándwich pnp o npn. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, el término transistor es lacontracción en inglés de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Transistor BJT.
Conocido por las iniciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar Junction Transistor) o transistor de unión bipolar, el término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos).
Historia.
El transistor bipolar fueinventado en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.Constitución del BJT.
El transistor BJT es un dispositivo semiconductor, el mismo es construido con la unión de dos capas tipo p y una capa tipo n en medio de esas capas, o viceversa, dos capas tipo n y una tipo p en medio de ambas.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminalesse representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector), la zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado inferior al de la zona de emisor, esta setrata de una zona con un espesor menor al de las capas exteriores y su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector. La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger los portadores inyectados por el emisor que han sido capaces de atravesar la base esta zona tiene un nivel de dopado inferior de las treszonas.


Funcionamiento y polarización.
Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna para, la señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación del amplificador.
Un transistor sea PNP o NPN es capaz de amplificar corriente, es decir que a una determinada intensidad aplicada en uno de sus terminales de entrada(emisor o base) responde con una corriente mayor como salida (colector), a este valor de salida se le conoce como ganancia.
Su funcionamiento se basa en polarizar adecuadamente las tres terminales, base, colector y emisor. Al polarizar al diodo emisor que es el que se forma de base – emisor directamente (p a positivo, n a negativo) habrá un flujo de cargas desde el emisor a la base, con una...