CARACTERÍSTICAS VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DEL DIODO SEMICONDUCTOR 1N4001

Páginas: 10 (2257 palabras) Publicado: 9 de noviembre de 2013



UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE EL SALVADOR
FACULTAD DE INFORMATICA EN CIENCIAS
APLICADAS



CARRERA: LICENCIATURA EN INFORMATICA

FUNDAMENTOS DE FISICA APLICADA

“CARACTERÍSTICAS VOLTAJE CONTRA CORRIENTE
DEL DIODO SEMICONDUCTOR 1N4001”


INSTRUCTOR: HARRY S. SOSA

ALUMNO NÚMERO DE CARNÉ:
GERSON DAVID LINARES RIVAS 17-0280-2013

SECCIÓN: 01SAN SALVADOR, 09 DE NOVIEMBRE DE 2013.


Índice

Introducción……………………………………………………………………………3
Objetivos……………………………………………………………………………….4

Características voltaje contra corriente del diodo semiconductor 1n4001……...5
Tensión inversa de ruptura………………………………………………………......5
Corriente máxima con polarización directa………………………………………...5
Caída de tensión con polarizacióndirecta…………………………………………..6
Corriente inversa máxima……………………………………………………………..6
Comprobación y detección de averías……………………………………………….6
Cómo calcular la resistencia interna rB………………………………………………7
Resistencia con polarización directa…………………………………………………8
Resistencia con polarización inversa………………………………………………...9
Rectas de carga………………………………………………………………………10
Circuitos con diodos………………………………………………………………….11
Fuentes dealimentación……………………………………………………………..12
El transformador de entrada ……………………………………………………….13
Transformador elevador……………………………………………………………..14
Transformador reductor……………………………………………………………...15
Efecto sobre la corriente……………………………………………………………..16

Conclusión…………………………………………………………………………....17
Bibliografía………………………………………………………………………........18



Introducción

Principio de funcionamiento del Diodo Semiconductor. Eldiodo es un dispositivo que permite el flujo de corriente en una sola dirección. Su funcionamiento puede ser comparado al de una válvula de agua de las llamadas válvulas.
Observe en la Figura 1.1(a) como la presión de agua es aplicada en el extremo derecho de dicha válvula de tal forma que provoca que esta se abra, permitiendo el flujo de agua en una dirección (en este caso de izquierda aderecha). Por otro lado, en la Figura 1.1(b), se observa como la presión de agua es aplicada en dirección opuesta, lo que mantiene la válvula cerrada evitando el flujo de agua.

Objetivos

Objetivo General

Determinar teóricamente y practicar de manera experimental los parámetros de funcionamiento de diferentes tipos de diodos semiconductores y graficar sus curvas características de voltaje contracorriente.


Objetivo Especifico

Conocer las funcionalidades que contienes las características voltaje contra corriente del diodo semiconductor 1n4001.

Identificar y comprender las aplicaciones de las características voltaje contra corriente del diodo semiconductor 1n4001
Características voltaje contra corriente del diodo semiconductor 1n4001
Tensión inversa de ruptura
Estudiaremosla hoja de características del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentación (circuitos que convierten una tensión alterna en una tensión continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas características con polarización directa, pero en polarización inversa sus características son distintas.
Primeramente analizaremos las"Limitaciones máximas" que son estas:

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que la tensión de ruptura para el diodo es de 50 V, independientemente de cómo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva.
Corriente máxima con polarización directa
Un dato interesante esla corriente media con polarización directa, que aparece así en la hoja de características:

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarización directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente con polarización directa para el cual el diodo se quema debido a una disipación excesiva de potencia. Un diseño...
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