Caracterizacion De Heteroestructuras Estructuras Nanometricas

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ISSN 0188-6150

Internet Electronic Journal
Nanociencia et Moletrónica
Mayo 2005, Vol. 3; No. 1, págs. 530-537 (2005)

Caracterización deHeteroestructuras Nanométricas Amorfas de Si/Ge por Difracción de Rayos X
E. L. Zeballos-Velásquez
Facultad de Ciencias Naturales y Matemática, Universidad Nacional del Callao,Callao, Perú E-mail:elzeve@hotmail.com

recibido: diciembre 2004

revisado: enero 2005

publicado: mayo 2005

Citation of the article:
E. L. Zeballos-Velásquez. Caracterización de Heteroestructuras Nanométricas Amorfas de Si/Gepor Difracción de Rayos X Internet Electrón. J. Nanocs. Moletrón. 2005, 3(1),530-537 http://www.revista-nanociencia.ece.buap.mx

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E. L. Zeballos-Velásquez InternetElectronic Journal Nanociencia et Moletrónica 2005, 3(1), 530-537

Caracterización de Heteroestructuras Nanométricas Amorfas de Si/Ge por Difracción de Rayos X
E. L. Zeballos-Velásquez
Facultad deCiencias Naturales y Matemática, Universidad Nacional del Callao,Callao, Perú E-mail: elzeve@hotmail.com

recibido: diciembre 2004

revisado: enero 2005

publicado: mayo 2005____________________________________________________________

____________________________ Internet Electron. J. Nanocs. Moletrón. 2005, 3(1), pags. 530-537

Resumen Heteroestructuras de silicio/germanio amorfohidrogenado (a-Si:H/a-Ge:H), preparadas por la técnica PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), fueron analizadas por Difracción de Rayos X a Bajo Ángulo. Parámetros estructurales dedimensiones nanométricas como el período, el espesor de las capas individuales y el ancho de la interface, fueron determinados por modelamiento de la reflectividad; también fueron calculadas las constantesópticas de los materiales. Estos modelos, elaborados según la teoría dinámica de difracción, incluyen una interface formada por la mezcla de materiales, su rugosidad y una variación aleatoria del...