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Efecto Hall
En octubre de 1879, el físico Edward Hall descubrió el efecto que lleva su nombre.
Hall encontró que que si se aplica un campo magnético elevado a una fina lámina de oro por la que circula corriente, se produce un voltaje en la lámina transversalmente a como fluye la corriente, este voltaje se llama voltaje Hall. El esquema que sigue sirve para ilustrar el efecto.
|El voltajeproducido es proporcional a la relación entre el |[pic] |
|valor del campo magnético y la magnitud de la corriente. | |
|Observe como se produce el voltaje Hall, la diferencia de | ||potencial se genera entre las caras transversales a las que está| |
|conectada la corriente de la batería. | |
|La resistencia R₁ sirve para limitar la corriente en el circuito||
|a un valor seguro. | |
|El efecto Hall ocurre en conductores y semiconductores, en los | |
|conductores el voltaje generado es demasiado pequeño para tener ||
|aplicaciones prácticas, pero en algunos semiconductores el valor| |
|de este voltaje es mucho mas grande y puede ser utilizado para | |
|tal fin. ||
|Uno de los semicondutores con mayor efecto Hall es el arseniato | |
|de galio pero debido a la dificultades tegnológicas que tiene su| |
|uso la mayor parte de los generadores Hall se construyen de ||
|silicio mas fácil y mas resistente. | |

Introducción
Efecto Hall 
El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo magnético perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo eléctrico transversal y undiferencia de potencial. 
La causa del efecto Hall es la desviación que experimentan los electrones que se mueven en el campo magnético bajo la acción de la fuerza de Lorentz.
Las siguientes figuras muestran las direcciones del campo magnético B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (según sean estas positivas o negativas), así como los signos de lascargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva). La figura 1a es válida para metales y semiconductores tipo n; para semiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos (figura 1b).
|[pic]|
|fig. 1a fig. 1b |

Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magnético hasta que la acción de la fuerza en el campo eléctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz.
La diferencia de potencial debida al efecto Hall es pues, en el equilibrio:...
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