control pwm 555

MOSFET H-Bridge esquema y teoría de operación
Este H-Bridge utiliza transistores MOSFET principalmente para mejorar la
eficiencia del puente.
Cuando se usan transistores bipolares (transistorescomunes) ellos tienen un
voltaje de saturación de aproximadamente 1v en la juntura colector-emisor
cuando son activados (modo saturación).
Su nuestra fuente de alimentación fuese de 10v , estaríamosconsumiendo 2v
solamente en los dos transistores requeridos para controlar la dirección de un
motor DC. Es decir, 20% de la potencia de mi fuente es consumida por los
transistores generandosimplemente mucho calor y obligándonos además a
usar grandes disipadores.
A diferencia de ello, los transistores MOSFETs poseen una resistencia entre
Drenaje y Fuente (RDS) cuando son activados que rondanlos 0.1 ohms
(dependiendo del modelo).
Esto significa que en un ejemplo como el anterior y trabajando con una
corriente de 4 amperes estaríamos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v en
total),lo cual representa una notable mejora en el rendimiento del puente.
Los MOSFETs trabajan mediante la aplicación de un voltaje en la Compuerta o
Gate.
Existen en dos tipos: N-Chanel (canal negativo– Q3 y Q5) y P-Chanel (canal
positivo – Q2 y Q4). En el primer caso pasan a modo conducción (activado)
mediante un voltaje positivo en la Compuerta y mediante un voltaje negativo
para el segundocaso.
Algunos de los fabricantes de transistores MOSFETs son : MOTOROLA,
International Rectifier, National Semiconductor y otros.
IMPORTANTE: Los MOSFETs son extremadamente sensibles a lascorrientes
estáticas pero aún más importante es el hecho que si su Compuerta es dejada
sin conexión pueden llegar a autodestruirse.
La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de10Mohm) y un simple ruido eléctrico puede activarlo.
Las resistencias R3, R4, R6 & R8 han sido adicionadas para evitar que el
MOSFET se autodestruya. Es muy importante instalar estas resistencia antes...