diodo gunn


REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN SUPERIOR
UNIVERSIDAD PRIVADA DR. RAFAEL BELLOSO CHACÍN
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA DE ELECTRONICA
CÁTEDRA: MICROONDAS
SECCIÓN: H-913





DIODO GUNN


PRESENTADO POR:
ORTEGA DARRIN
VILLANUEVA ANGÉLICA





Maracaibo, Octubre de 2013

Es una forma de diodo usado en laelectrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo.
HISTORIA
El diodo Gunn se basa en el efecto Gunn, y ambos se llama así por el físico JB Gunn quien a IBM en 1962, descubrió el efecto porque se negó a aceptar los resultados experimentalesinconsistentes en el arseniuro de galio como "ruido", y rastreó la causa. Alan Chynoweth, de los Laboratorios Bell Telephone, en junio de 1965 mostró que sólo un mecanismo transferido-electrón podría explicar los resultados experimentales. La interpretación se refiere a la teoría de Ridley-Watkins-Hilsum.
El efecto Gunn, y su relación con el efecto Watkins-Ridley-Hilsum entraron en la monografía dela literatura en la década de 1970, por ejemplo, en los libros en los dispositivos de transferencia de electrones y, más recientemente, en los métodos de ondas no lineales para el transporte de carga. Varios otros libros que proporcionan la misma cobertura que se publicaron en los años intermedios, y se pueden encontrar mediante la búsqueda en los catálogos de bibliotecas y librerías en efectoGunn.
COMPOSICIÓN
Un diodo Gunn, también conocido como un dispositivo de transferencia de electrones, es una forma de diodo, un componente electrónico semiconductor, utilizado en la electrónica de alta frecuencia. Su construcción interna es a diferencia de otros diodos en que consta sólo de material semiconductor dopado N, mientras que la mayoría de los diodos consisten tanto en las regionesN-dopadas P y. En el diodo Gunn, existen tres regiones: dos de ellos están fuertemente dopada n en cada terminal, con una capa delgada de material ligeramente dopado en el medio. Cuando se aplica un voltaje al dispositivo, el gradiente eléctrico será más grande a través de la capa intermedia delgada. La conducción se llevará a cabo como en cualquier material conductor con ser de corrienteproporcional a la tensión aplicada. Finalmente, en los valores de campo más altas, las propiedades conductoras de la capa media serán alterados, aumentando su resistividad, prevenir aún más la conducción y se inicia la corriente a caer. Esto significa un diodo Gunn tiene una región de resistencia diferencial negativa.
FUNCIONAMIENTO
La estructura de banda electrónica de algunos materialessemiconductores, como el arseniuro de galio, tiene otra banda de energía o de sub-banda, además de la banda de valencia y de conducción que normalmente se utiliza en los dispositivos semiconductores. Esta tercera banda está en una energía más alta que la banda de conducción normal y está vacía hasta que la energía se suministra a la promoción de electrones a la misma. La energía se deriva de la energíacinética de los electrones balísticos. Es decir, los electrones en la banda de conducción, sino que se mueve con suficiente energía cinética puede llegar a la tercera banda.

Estos electrones comienzan a cabo ya sea por debajo del nivel de Fermi y se les da un tiempo suficientemente largo recorrido libre medio para adquirir la energía necesaria mediante la aplicación de un fuerte campo eléctrico, o seinyectan por un cátodo con la energía correcta. En este último caso, el material del cátodo tiene que ser elegido cuidadosamente; reacciones químicas en la interfase deben ser controlados durante la fabricación y monoatómicos capas adicionales de otros materiales insertados. Con el voltaje directo aplicado, el nivel de Fermi en el cátodo se mueve en la tercera banda, y las reflexiones de...