DIODO TUNEL
Páginas: 15 (3737 palabras)
Publicado: 15 de febrero de 2014
DIODO TÚNEL
1.- Año de Descubrimiento.
Fue Descubierto en 1957 por Leo Esaki que nació en Osaka Japón. Termino su carrera de Físico en 1946 y su doctorado en 1959 por la universidad de Tokio. Su descubrimiento del efecto túnel lo realizo en 1957 mientras trabajaba en Sony Corporation. Tres años más tarde se traslado a Estados Unidos para incorporarse al centro de investigación Thomson J.Watson de la compañía IBM en Nueva York. Sus investigaciones se centraron en la física de los semiconductores. En 1965 fue elegido para uno de los mejores cargos de IBM. Comenzó a trabajar con las superredes como parte de un experimento para demostrar otras teorías de la mecánica quántica postuladas pero no demostradas. Las superredes son cristales sintéticos compuestos por capas extremadamentefinas de diferentes semiconductores. Este material se puede emplear en los ordenadores a altas velocidades. Leo Esaki permaneció 33 años en IBM y finalmente fue nombrado director de la compañía. Durante este periodo también impartió clases en las universidades de Pensilvana y Tokio. Cuando dejo IBM en 1993 regreso a Japón y desde entonces ha sido rector de la Universidad de Tsukuba.
2.-Colaboradores.
Leo Esaki, físico Japonés cuyos trabajos sobre los semiconductores le valieron el premio Nóbel de Física en 1973, galardón que compartió con el físico estadounidense de origen Noruego Iván Giaver y con el físico Británico Brian D. Josephson. Demostró el efecto túnel en los semiconductores y desarrollo el diodo túnel, también conocido como diodo de Esaki.
En física clásica, unacorriente eléctrica no puede fluir en un circuito interrumpido por una barreara aislante, es decir, cuando los electrones chocan con el material aislante, no pueden atravesarlo.
Desde la década de 1930, la mecánica quántica, la rama de la física que estudia los fenómenos relacionados con el movimiento de las partículas subatómicas, había postulado que los electrones podían atravesar una barreraaislante si esta era lo suficientemente fina. Esaki desarrollo un diodo con uniones eléctricas de un espesor de diez milésimas de micra a través del cual los electrones podían pasar.
Leo Esaki Iván Giaever Brian D. Josephson
3.- Significado del nombre
Se conocen como diodoEsaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye alaumentar el voltaje.
La anchura de la barrera de unión varia inversamente con la raíz cuadrada de la concentración de impurezas y en nuestro caso se reduce a menos de 100 A (10-6 cm.).
Esta anchura es de solo un cincuentavo de la longitud de onda visible. No obstante para barreras cuya anchura se estima en el diodo Esaki, la ecuación de Schondringer indica que hay una gran posibilidad de queun electrón penetre a través de la barrera de potencial. Este comportamiento de mecánica quántica se conoce con el nombre de efecto túnel, y los sistemas cuya unión p-n tengan alta cantidad de impurezas se denominan diodos túnel.
También es un efecto quántico descrito en 1928 por George Gamoun para explicar la desintegración radiactiva en la que se producía la emisión de partículas alfa Gamowdescubrió que según el principio de incertidumbre de Heinsenberg una pequeña parte de un núcleo atómico, la parte que mas tarde constituye la partícula alfa no exactamente en el núcleo sino ligeramente separada de el, lo bastante separada como para quien predomine los efectos de la fuerza de repulsión electrostática y no la interacción nuclear fuerte.
Gamow descubrió la situación utilizando la...
1.- Año de Descubrimiento.
Fue Descubierto en 1957 por Leo Esaki que nació en Osaka Japón. Termino su carrera de Físico en 1946 y su doctorado en 1959 por la universidad de Tokio. Su descubrimiento del efecto túnel lo realizo en 1957 mientras trabajaba en Sony Corporation. Tres años más tarde se traslado a Estados Unidos para incorporarse al centro de investigación Thomson J.Watson de la compañía IBM en Nueva York. Sus investigaciones se centraron en la física de los semiconductores. En 1965 fue elegido para uno de los mejores cargos de IBM. Comenzó a trabajar con las superredes como parte de un experimento para demostrar otras teorías de la mecánica quántica postuladas pero no demostradas. Las superredes son cristales sintéticos compuestos por capas extremadamentefinas de diferentes semiconductores. Este material se puede emplear en los ordenadores a altas velocidades. Leo Esaki permaneció 33 años en IBM y finalmente fue nombrado director de la compañía. Durante este periodo también impartió clases en las universidades de Pensilvana y Tokio. Cuando dejo IBM en 1993 regreso a Japón y desde entonces ha sido rector de la Universidad de Tsukuba.
2.-Colaboradores.
Leo Esaki, físico Japonés cuyos trabajos sobre los semiconductores le valieron el premio Nóbel de Física en 1973, galardón que compartió con el físico estadounidense de origen Noruego Iván Giaver y con el físico Británico Brian D. Josephson. Demostró el efecto túnel en los semiconductores y desarrollo el diodo túnel, también conocido como diodo de Esaki.
En física clásica, unacorriente eléctrica no puede fluir en un circuito interrumpido por una barreara aislante, es decir, cuando los electrones chocan con el material aislante, no pueden atravesarlo.
Desde la década de 1930, la mecánica quántica, la rama de la física que estudia los fenómenos relacionados con el movimiento de las partículas subatómicas, había postulado que los electrones podían atravesar una barreraaislante si esta era lo suficientemente fina. Esaki desarrollo un diodo con uniones eléctricas de un espesor de diez milésimas de micra a través del cual los electrones podían pasar.
Leo Esaki Iván Giaever Brian D. Josephson
3.- Significado del nombre
Se conocen como diodoEsaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye alaumentar el voltaje.
La anchura de la barrera de unión varia inversamente con la raíz cuadrada de la concentración de impurezas y en nuestro caso se reduce a menos de 100 A (10-6 cm.).
Esta anchura es de solo un cincuentavo de la longitud de onda visible. No obstante para barreras cuya anchura se estima en el diodo Esaki, la ecuación de Schondringer indica que hay una gran posibilidad de queun electrón penetre a través de la barrera de potencial. Este comportamiento de mecánica quántica se conoce con el nombre de efecto túnel, y los sistemas cuya unión p-n tengan alta cantidad de impurezas se denominan diodos túnel.
También es un efecto quántico descrito en 1928 por George Gamoun para explicar la desintegración radiactiva en la que se producía la emisión de partículas alfa Gamowdescubrió que según el principio de incertidumbre de Heinsenberg una pequeña parte de un núcleo atómico, la parte que mas tarde constituye la partícula alfa no exactamente en el núcleo sino ligeramente separada de el, lo bastante separada como para quien predomine los efectos de la fuerza de repulsión electrostática y no la interacción nuclear fuerte.
Gamow descubrió la situación utilizando la...
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