DIODO TÚNEL


Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Unidad Profesional Adolfo López Mateos



Electrónica I
Exposición: “DIODO TÚNEL”ESPACIO PARA EL PROFESOR
Grupo: 4EV1
EQUIPO 4
Nombre del Equipo: “Alicios”
Alumna: González Chárrez MaríaAlicia
BOLETA: 2014300682







Fecha de entrega: 06 de nov de 2015
DIODO TÚNEL
Exhibe una característica especial conocida como resistencia negativa. Se construyen con arseniuro de germanio o galiodopado las regiones p y n mucho más dopado que el diodo convencional.

MODELO SÍMBOLICO






Si aplicamos una polarización inversa, por pequeña que sea esta hace que los electrones ligados en elmaterial tipo P pasen por efecto túnel a la banda de conducción del tipo N, dando lugar a la corriente inversa que corresponde al tercer cuadrante. Aquí no inverso. Si se aplica una polarización directade manera que la región N se eleva con respecto a la región P de está manera los electrones del material N pasan por el efecto túnel a la banda de valencia del material P de manera que lacorriente que circula por el efecto túnel es mayor, si este efecto no se produjera no es tan alta , la máxima corriente se da cuando la zona ocupada de la banda de conducción N conincide exactamentecon la vacía de la banda de valencia P . si seguimos incrementando la tensión directa al seguir elevandose la región P con respecto a la región N va disminuyendo la corriente hasta anularse totalmentepara que a su vez se comporte como el diodo común polarizado directamente.
MODELO GRÁFICO



SEGMENTO LÍNEAL DEL DIODO TÚNEL
iIP
RD1 -RD RD2
IV


VV VV...