Diodos

DIODOS
Diodos de barrera Schottky.
Construcción:
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamentebaja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor.
El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y elsemiconductor, el cátodo.
Características:
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral deaproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose.
Aplicaciones:
* se utilizan en fuentes de potencia.
* circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
* como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.
* aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación.
* Funcionan como variadores defrecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conduciría a su rápido deterioro.

Diodos Varactores.
Construcción:
La formación de un diodo varactor se debe a la unión de un capacitor  a un diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).
Los diodos varactores o varicap han sido diseñadosde manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables.
Debido a la recombinación de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente.
Características:
Es un tipode diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que el ancho de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.
Aplicaciones:
*  En la sintonía de TV.
*  modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio.
* en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensión).
* En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores.

Diodos Túnel.
Construcción:
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tieneuna unión PN, una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
Características:
 Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar elvoltaje. Además es un diodo en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de característica  corriente-tensión.
Aplicaciones:
* el diodo túnel puede funcionar como amplificador.
* como oscilador o como biestable.
* Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran...