diseño fuente comun

DISEÑO DE UN FUENTE COMUN CON CARGA ACTIVA
1. INTRODUCCION
El diseño analógico consiste en encontrar una serie de parámetros que definen un circuito para conseguir los alcances esperados, entrelas principales cosas que se buscan en este tipo de diseño con amplificadores mosfet están el bajo consumo de potencia, la ganancia elevada, poco espacio y el incremento del rango dinámico, un ejemplode estos amplificadores es el fuente común con carga activa con el cual se puede empezar a diseñar circuitos analógicos para el fortalecimiento de esta aplicación.
2. CARACTERIZACIÓN DE LOSTRANSISTORES MOSFET
En primer lugar se deben caracterizar los transistores que se van utilizar en el diseño, de este modo se pueden realizar los diferentes cálculos e iteraciones pertinentes.
1.1.Caracterización del transistor NMOS.
Se deben encontrar los valores de las constantes Kn, VTH y lambda, esto se hace analizando las variaciones de la corriente en función de VGS y VDS dependiendo del casopertinente. Se empezó el diseño asumiendo una W/L =12.
Para hallar Kn se debe variar VGS y linealizar la parte de la curva correspondiente a la región de saturación del transistor, después de tenerla pendiente de la recta se iguala a la ecuación esto preferiblemente se debe hacer varias veces para poder conseguir una exactitud en los cálculos.

Figura1.Montaje del transistor NMOS parael cálculo de Kn y VTH
La figura anterior muestra cómo se realiza el montaje en Orcad para poder encontrar el valor de KN y VTH este escenario es necesario dejar VDS constante y variar VGS en un rangoadecuado para la respectiva regresión lineal.

Figura2.Grafica de la dependencia de IDS con VGS
Se puede observar en la gráfica de la figura2 que para hallar KN debemos tomar solo la región endonde vemos desarrollarse la curva para ello tomamos las muestras necesarias haciendo el ajuste en el perfil de simulación, después de tener solo el trozo de grafica deseada se procede a la respectiva...