diseño en ingeniería

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1. (5 Puntos) En un capacitor MOS, si el voltaje aplicado VG  VTN entonces el capacitor estarátrabajando en la región de:

a) Acumulación b) Agotamiento c) Inversión d) Saturación

2. (5 Puntos) En que región de operación estará polarizado el transistor MOSFET NMOS de Agotamiento que tiene lossiguientes voltajes entre sus terminales VGS = 1.5 V, VDS = 2 V y VTN = -1 V,

a) Corte b) Triodo c). Saturación d) Activa

3. (5 Puntos) El voltaje de umbral de un transistor MOSFET depende delvoltaje aplicado entre las terminal de substrato y fuente VSB?

a) Cierto b) Falso c) Solo en la región de Triodo y de Saturación d) Solo en la región de corte

4. (5 Puntos) La frecuencia de cortefT del transistor representa la frecuencia más alta a la cual el transistor puede dar amplificación. Está frecuencia ______________ con el factor de escala

a) disminuye de forma directa b) Nocambia c) Aumenta de forma directa d) Ninguna de las anteriores

5. (5 Puntos) Las principales características de un amplificador de Emisor común son:

a) Simple y Barato b) Baja Ganancia y altaresistencia de entrada c) Alta ganancia y baja resistencia de salida d) Alta ganancia y baja resistencia de entrada

6. (5 Puntos) En transistores MOSFET, pequeña señal significa

a) señales menoresa VGS b) Señales menores a 10 mV c) Señales menores al 20% de (VGS-VTN) d) Señales menores al 2% de (VGS-VTN)



















7. (20 Puntos) Determine la corriente de drenajepara el transistor de la figura 1. Si =0.020 V-1 y la relación W/L =20/1.Considere VTN = 0.75V y K’ = 100 A/V2

Figura 1


8. (30 Puntos) Para el amplificador de la figura 2, determine laganancia de voltaje, la resistencia de entrada y la resistencia de salida. Para el transistor Kn = 250 A/V2, VTN = 1V.


Figura 2

9. (20 Puntos) Para el amplificador de la figura 2, determine la...