dispositivos de capas
CARRERA:
ING. ELECTRONICA
MATERIA:
ELECTRONICA INDUSTRIAL
CATEDRATICO:
ING. CESAR ROSALES MALDONADO
INVESTIGACION:
“DISPOSITIVOS DE CUATROCAPAS”
ALUMNOS:
HECTOR COELLO RUIZ
SERGIO MAURICIO MORALES ARGUELLO
BRIAN JOVANY CUNDAPI BIELMA
SEMESTRE:
6 “A”
CONTRUCCION DE DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
Una familia dedispositivos conocidos como tiristores se construye con cuatro capas semiconductoras (pnpn).
Estos dispositivos actúan como circuitos abiertos capaces de soportar cierto voltaje nominal hasta que sondisparados.
Cuando son disparados, se encienden y se convierten en trayectorias de baja resistencia para la corriente y permanecen así, incluso después de que desaparece el disparo. La palabratiristor viene del griego y significa ³puerta´, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a través de ella.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor queutiliza realimentación interna para producir un nuevo tipo de conmutación. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes.
Por ello, la principal aplicación deestos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminación y otras cargas semejantes. En sí, el tiristor es un conmutador casi ideal,rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idóneo en electrónica de potencia. El Triac por su parte no es sino la variante bidireccional.
Rectificador controlado de Silicio.
Elrectificador controlado de silicio (en inglés SCR:Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
El nombreproviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor. Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta).
La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y...
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