Dispositivos Electornicos

TEST REVISION 1

Jhan Christian Oré Díaz - UNTECS

1.- ¿Cuantos electrones de valencia hay en cada cm3 de silicio?

• En el cristal de silicio hay 5·1022 átomos por cm3.

2.-Porqué un electrón de valencia no es un portador de corriente?

• Porque el electrón forma parte de la estructura del átomo de silicio.

3.- Un electrón de valència en uncristal de silicio captura un cuanto d’energia de 2 eV. ¿Cuanta energía habrá cedido a le red cristalina a través de colisiones cuando el electrón libre se encuentra en el nivel Ec y el huecoen el nivel Ev? Datos: Eg del silicio 1,1 eV.

• Ec-Eg la energia para que el electrón pase a la banda de conducción, por lo tanto
2eV – 1.1eV = 0.9 eV de energia.

4.-¿Cuál seria la concentración intrínseca de un semiconductor con los mismos parámetros que el silicio excepto su banda prohibida que fuera Eg = 0.8 eV en lugar de Eg = 1,1 eV?

• Por ni= A·T3/2·e(-Eg/2KT) , por esta fórmula podemos llegar a relación que si el Eg disminuye cuando menos fuerte sea el enlace habrán más enlaces rotos.



5.- Un semiconductor N estádopado con ND = 1013 átomos por cm3. Si a 300 K todas las impurezas estan ionizadas, calcular n0 y p0. Datos: ni(300K) = 1010 cm-3.

• Ni = 1010 cm-3, No = (1013+(1026+4x1020)1/2/2 ,Po =1020/((1013+(1026+4x1020)1/2/2

6.- Repetir el cálculo anterior a una temperatura T tal en la que ni(T) = 1013 cm-3. Porqué se dice que en altas temperaturas el semiconductortiende a intrínseco?

• Ni = 1013cm-3 , No = (3.23x1013)/2, Po = (1026)/(1.61x1013)

Ya que debido a habrá más energia tèrmica disponible, es decir, más cuantos de energia tèrmicay por lo tanto hay mayor número de electrones que han podido absorber un cuanto y convertirse en electrones de conducción, por lo tanto se vuelve mas intrínseco el semiconductor.