Dispositivos Opticos

INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ

* FISICA IV *

CATEDRATICO:

MC. AGUILAR HAAZ JORGE PEDRO

ALUMNO:

Zárate Portugal Jair Josué

NO. DE CONTROL:

E06021879

GRUPO:

4L1C

INVESTIGACIÓN:

Dispositivos Ópticos

INTRODUCCION

Los dispositivos ópticos son componentes utilizados en electrónica con una serie de lentes, espejos, prismas y filtros, que hacen que sufuncionamiento y características varíen en función de dirigir, controlar o modificar rayos luminosos.

CLASIFICACION DE LOS DISPOSITIVOS OPTICOS:
A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos:
• Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energía eléctrica. Son dispositivos que transforman la energía eléctrica en energía luminosa. A este nivel corresponden losdiodos LED o los LÁSER.
• Dispositivos detectores: generan una pequeña señal eléctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la energía luminosa en energía eléctrica.
• Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiación luminosa desde un emisor a un receptor. No se producen transformaciones de energía.

FOTORRESISTENCIA
Dispositivo semiconductor de dos terminales, cuya resistencia terminalvaría linealmente con respecto a la energía luminosa incidente.

CARACTERISTICAS:
• Material de fabricación :
Sulfuro de Cadmio (CdS)
Seleniuro de Cadmio (CdSe)
• No presentan una unión como la del fotodiodo.
• Dispositivo bastante fotosensible
• Máxima capacidad de respuesta:
(CdS) 510nm ó (CdSe) 615nm
• Velocidad de conmutaciónlenta comparada con otro, dependiente del material de fabricación.
(CdS) 100 mseg. ó (CdSe) 10 mseg.
• Condiciones de operaciones (en forma aislada)
* Oscuridad: La resistencia aumenta
* Iluminación: la resistencia disminuye por lo tanto aumenta la energía
Ejemplo:

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyascaracterísticas eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unión. En la figura siguiente se muestra su símbolo circuital.

CARACTERÍSTICAS

• Al aplicar polarización inversa su corriente inversa (corriente de fuga) varía en proporción a la intensidad de la luz.

• La longitud de onda adecuada que incide sobre un fotodiodo produce Pares Hueco-Electrón que son desplegadosa lo largo de la juntura por el campo eléctrico.

• El fotodiodo de polarización en inversa se comporta como una fuente de corriente constante hasta obtenerse una tensión de avalancha.

• La respuesta espectral y el tiempo de respuesta depende de la geometría de área de recolección y del material impurificante.

FOTOTRANSISTOR
Es un transistor bipolar sensible a la luz, esto quieredecir que es un dispositivo de unión PN fotosensible a una longitud de onda que opera como transistor común, excepto que la corriente de base puede ser suministrada de dos modos.
• Modo común (polarización externa)
• Modo iluminación (la unión Base-Colector provee en función de la intensidad de la luz).

CARACTERISTICAS

• Menor sensibilidad que una resistencia pero mayorque fotodiodos.

• Velocidad de conmutación rápida.

• La sensibilidad del dispositivo está en función de las dimensiones del área de recolección (unión Base-Colector).

• Presenta un área de recolección de grandes dimensiones.

DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS)
Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unión PN que cuando se polariza directamente emite luz.

Alaplicarse una tensión directa a la unión, se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como resultado de ello, ambas capas tienen una mayor concentración de portadores (electrones y huecos) que la existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una recombinación de portadores, liberándose en dicha recombinación la energía que les ha sido comunicada mediante la aplicación de la...