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Páginas: 18 (4458 palabras) Publicado: 23 de abril de 2013
MEMORIA RAM DINÁMICA
DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 ó 1) sealmacena en un dispositivo electrónico cuya forma de funcionamiento podemos compararla conun condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millonesde veces cada segundo, hay que enviar una señal, que se denomina señal de refresco, querecuerde a la memoriala información que posee, ya que ésta, se pierde poco después dehaberse introducido.El microprocesador es el que da las órdenes oportunas para que la señal de refresco Llegue ala memoria. La frecuencia de esta señal de refresco tiene que ser suficientemente alta paraque no de tiempo a que se pierda la información contenida en la memoria. La capacidad de lasmemorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (lacapacidad de los chips de memoria se suele mediren bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria oscila entre 80ns y 50ns.Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria, sino que se agrupan varios enuna placa, con un conector estándar para poder colocarse mejor; son los llamados SIMM(Single Inline Memory Module) que han existido de dos tipos: de 30 contactos (casi endesuso)y de 72 contactos. Posteriormente aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline MemoryModule), que tienen 168 contactos y su capacidad varía desde 8Mb hasta 128 MB.
Las figuras siguientes representan los distintos tipos de módulos de memoria que se han existido y existen,así como los tamaños del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinámicas lamemoriadireccionable es el doble del tamaño del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen enfilas y columnas y se envían consecutivamente ambas por el mismo bus. El tamaño del bus de direccionesindica el máximo tamaño que puede tener una de dichas memorias, también las hay de menor capacidad, enese caso no se utilizan las líneas de direcciones altas del bus


Memoria RAM estática
Es un tipo dememoria basada en semiconductores capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sinnecesidad de circuito de refresco
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30

nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECLse encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
.-Es una memoria estática que está compaginada conelprocesador para evitar estados de espera y es capaz de soportar velocidades de bus de 100 y 133MHz, alcanzandovelocidad de hasta menos de 10ns
A) SRAM PROVIENE DE ("STATIC READ ALEATORY MEMORY"),
lo que traducido significa memoria estáticade acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que tiene la característica de estar construida a basede transistores (a diferencia de la memoria DRAM que lamayoría utilizamos en las computadoras, la cuálesta fabricada a base de capacitores).La característica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrónicas deltransistor, este no necesita estarse cargando constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de laDRAM, el cuál necesita constantemente recargándose, porque en caso contrario pierde el datoalmacenado); por ellotienden a ser memorias sumamente rápidas y también costosas (ya que es mas carofabricar un transistor que un capacitor). Son memorias físicamente semejantes a las memorias DRAMconvencionales (SIMM, DIMM, RIMM, DDR, etc.), que tienen un conector para ser insertadas en una ranuraespecial para ellas en latarjeta principal (Motherboard).
B) MEMORIA CACHÉ
: es sinónimo de SRAM, ya que es el tipo dealmacenamiento en que más se basa suuso, sin embargo también es posible crear segmentos de Caché en discos duros yunidades SSD, cumpliendola función de almacenar datos e instrucciones utilizadas frecuentemente, pero sin punto de comparación conrespecto a la velocidad que logra desarrollar la SRAM


Usos específicos de la memoria SRAM
Se utiliza para agilizar la velocidad de acceso a datos en...
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