ejercicios 04 fet

Ejercicios relativos al
transistor de efecto de campo

Problemas relativos al FET

1. En el circuito de autopolarización de la figura se desea que, ID = IDSS/2 y VD = 9 V.
Calcular los valores deRD, RS y RG utilizando una tensión de alimentación de 12 V.
DATOS: Curva de transferencia del FET.
ID(mA)
15 mA

-8V

VGS (V)

2. En el siguiente circuito, calcular Δv, Zin yZout. DATOS: ⎜IDSS⎜ = 10mA; ⎜VT⎜ = 4 V

Problemas relativos al FET

3. Para el circuito de la figura, determinar los valores de VDS2 e ID2. Los valores del
FET son: ⎜IDSS⎜ = 5 mA y ⎜VP⎜ = 2 V.

4. Calcular la ganancia detensión e impedancia de entrada del circuito.
DATO:gm = 2 mΩ-1 = 2(kΩ)-1.

Problemas relativos al FET

5. El amplificador de la figura tiene los siguientes valores: RD = 12 kΩ, RG = 1 MΩ,
RS = 470 Ω, VDD= 30V, IDSS = 3 mA, |Vp| = 2.4 V, rd >> RD. Calcular:
a) Punto de trabajo.
b) Ganancia de tensión.

6. Los parámetros del FET de la figura son: ⎜IDSS⎜ = 4 mA y ⎜VT⎜ = 4 V. Calcular el
punto detrabajo.

Problemas relativos al FET

7. Deducir los parámetros característicos del FET equivalente a la asociación en
paralelo de los dos FET´s idénticos de la figura.

8. El FET de la figura estácaracterizado por: ⎜IDSS⎜ = 5 mA y ⎜VP⎜ = 3 V. Sea RD = 3
kΩ, RS = 8 kΩ, VDD = 15 V y VSS = -8 V. Calcular VGS y V0 si:
a) VG = 0 V
b) VG = 10 V
c) ¿En cuál de los dos casos la región gradual del FET esmayor?.

Problemas relativos al FET

9. En el circuito de la figura, los dos diodos son idénticos. Se adjuntan además, las
curvas características del diodo y del FET. Determinar:
a) La corriente IDSS.
b)La tensión de estrangulamiento.
c) Tensión en bornes del diodo D1.
d) La corriente que circula por el drenador.
e) La tensión drenador-surtidor.

5
4.5
4
3.5

ID (m A )

3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-3

-2.5-2

-1.5

-1
V GS (V )

-0.5

0

0.5

1

3

2 .5

ID io(m A )

2

1 .5

1

0 .5

0

0

0.1

0 .2

0.3

0.4

0.5
V D (V )

0.6

0.7

0.8

0.9

1

Problemas relativos al FET

10. La corriente de...