El mosfet

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Felipe Paz Campos 2012

ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CAPÍTULO 4: EL TRANSISTOR MOSFET

TEORÍA Y APLICACIONES

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Felipe Paz Campos 2012
CAPÍTULO 4 EL Transistor MOSFET. 4.1 Introducción MOSFETson las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industriamicroelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunquedebido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. Enconcreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algoque sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas dedifusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividenen dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n figura 4.1.
nMOS Figura 4.1 pMOS Figura 4.2

Las áreas de difusiónse denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta (gate). En la figura 4.3 se muestran las terminales.

Figura 4.3

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusionesde tipo p figura 4.2.

En la figura 4.3 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se...
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