EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN Y SUS TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN

Ingeniería Mecatrónica, Plantel Tonalá.
Academia; Electrónica Analógica, Materia; Electrónica Analógica

Electrónica Analógica
Practica 2

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN Y SUS TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN
Alumno: Registro;

OBJETIVO:
Comprobar las características eléctricas máximas de un BJT utilizando el trazador de curvas. Diseñaruna polarización fija y otra con retroalimentación por emisor que tenga el mismo punto de operación y comparar la estabilidad de dicho punto cuando la temperatura cambia en ambas.


El transistor que inventaron en 1947 Bardden, Brattain y Schockley


El Transistor Bipolar de Unión
La patente del primer transistor, la obtuvo el canadiense Julius Edgar Lilienfeld en el año de 1925, en estadescribe un dispositivo similar a un transistor de efecto de campo, sin embargo, desafortunadamente no publicó ningún artículo de investigación acerca del mismo, ni los inventores de los transistores posteriores hacen cita alguna de su patente. Hacia 1934 el inventor alemán Oskar Heil patentó un dispositivo similar sin resultados exitosos, posteriormente en 1942 el físico alemán Herbert Matarétrabajó con los entonces conocidos como duodiodos mientras trabajaba en un detector para un radar por efecto Doppler. Dichos duodiodos construidos por el mismo tenían dos contactos metálicos separados por un sustrato de semiconductor, descubriendo efectos que no podían ser explicados por el funcionamiento de dos diodos operando independientemente, de manera que de esto surgió la idea del posteriortransistor de puntos de contacto. En 1947 John Bardeen y Walter Brattain trabajando para AT&T Bell Labs observaron que cuando un juego de contactos eléctricos eran aplicados a un cristal de germanio, la potencia de salida era mayor que la de entrada al excitar el componente, William Shockley, quien era el líder del grupo de física de estado sólido comprendió el potencial visualizo la trascendenciadel descubrimiento y en los siguientes meses trabajo intensamente para ampliar el conocimiento de los semiconductores. Según el físico historiador Robert Arns, existen documentos legales de la patente de los Laboratorios Bell que muestran que W. Shockley y Gerald Pearson habían construido versiones operacionales de las patentes de Lilienfeld y que ellos nunca referenciaron el trabajo de éste en susartículos de investigación posteriores ni en artículos históricos. El término de transistor fue acuñado en 1949 por John R. Pierce en los Laboratorios Bell utilizando el acrónimo de las palabras “transfer- resistor, puesto que este dispositivo funciona en la práctica como una transresistencia, cabe mencionar que gracias a la capacidad creativa de Pierce se debe la puesta en funcionamiento delprimer satélite estadounidense Telstar.
En el año 1956 J. Bardeen, W. Brattain y W.Shockley fueron reconocidos con el premio Nobel en Física por el descubrimiento del transistor que se considera como quizás el más importante descubrimiento del siglo XX. El primer transistor de silicio fue desarrollado por Gordon Teal en Texas Instruments en 1954 y en 1960 Kahng y Atalla construyeron en losLaboratorios Bell el primer transistor de efecto de campo o MOSFET.
El transistor más utilizado en las décadas de 1960 y 1970 fue el transistor bipolar de unión, puesto que con él se podían resolver prácticamente todas las necesidades electrónicas de esos tiempos, el otro tipo de transistor conocido como MOSFET tenía los inconvenientes de tener una velocidad conmutación lenta, baja capacidad de manejode corriente y de ser sensible a la estática, por lo cual el Transistor Bipolar de Unión dominó el campo de la electrónica tanto analógica como digital en esas épocas. Como se acaba de mencionar los transistores se puede clasificar en dos grandes grupos:
Los Transistores Bipolares de Unión (Bipolar Junction Transistor)BJT
Transistores de Efecto de Campo (Field Effect Transistor) FET
Los...