Transistor de unión bipolar

Electrónica Analógica 2-3 pm - Orduño Quintero Diego Hector – 211202284
Historia de los transistores de unión bipolar.
El descubrimiento y creación del transistor de unión bipolar, es considerado el invento más trascendental del siglo XX. Este transistor es conocido como el caballo de batalla en los sistemas electrónicos de la actualidad.
Empezando con el tubo de vacío o también llamado bulboel cual era considerado en 1904 hasta 1947 el mayor componente electrónico y en vías de desarrollo, el cual fue presentado por A.J. Fleming. El primer amplificador fue creado gracias a Lee De Forest que en 1906 le agrego un tercer componente al diodo al vacío, conocida como rejilla de control. Con la creación de la radio y la televisión, la producción de bulbos creció sumamente, a tal grado queeran millones de estos por año. Continuando con la historia, en los años treinta, la producción de tubos de vacío de 4 y 5 elementos (tetrodo y pentodo), cobraron una suma importancia en la industria de los componentes. Con el paso de los años la fabricación de estos fue más sencilla, modernizando la manera de crearlos, dándoles mayor potencia, miniaturización, esto llevo a que esta industria sehiciera una de las más fuertes.
El 23 de diciembre de 1947 será recordado como uno de los días más importantes en la electrónica, ya que esto ayudaría la evolución en la tecnología que hoy conocemos. Esa tarde Walter H. Brattain y John Bardeen, demostraron experimentalmente la acción de la amplificación del primer transistor. Las ventajas que contenía dicho transistor de tres terminales sobre elbulbo fueron obvias y visibles rápidamente: era más pequeño y ligero, no existía disipación de calor o calentamiento, además de ser más resistente y eficiente, ya que el dispositivo absorbía menor potencia.
Es importante destacar que el transistor con el paso del tiempo fue mejorando con las aportaciones de las nuevas tecnologías, las eficiencias de los procesos y nuevas investigaciones paraobtener el mayor rendimiento de estos. Lo esencial es que gracias a Walter H. Brattain y John Bardeen dieron un giro 180 grados a la electrónica pero también influyeron los acontecimientos previos al desarrollo del transistor.


Construcción de los transistores.
El transistor es un componente electrónico semiconductor, el cual está formado por tres capas, pueden ser creado ya sea de dos capas dematerial tipo n y uno tipo p, o de formado de dos capas de material tipo p y uno de material tipo n. Otra forma de dar su definición es un material de tres terminales equivalentes a dos diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y Colector). Los transistores de unión bipolares son similares a los diodos de unión, pero incluyen una unión más.
Hablando un poco de cómo está conformado eltransistor BJT, Transistor Bipolar de Unión (del inglés Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. Los transistores BJT son excelentes amplificadores.
El Emisor está muy impurificado, por otro lado la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colector tiene una impurificación intermedia con respecto a los otros dos. El emisor es muy poderosoen portadores de corriente y su principal objetivo es enviarlos a la base y el emisor, por consiguiente emitirla; por último la base actúa como zona de control.
Las técnicas para la fabricación de un transistor BJT, son variadas a la hora de introducir átomos dopados en la estructura del semiconductor, para que así llegue a ser tipo N (Donante) o del tipo P (Aceptante), a partir delsemiconductor puro, el cual se le conoce como tipo I (Intrínseco).
Los transistores normalmente suelen construirse de Ge o Si, todo depende de la técnica de su construcción. Existen varias técnicas, abordando un poco son:
Aleación: Este consiste en producir los tipos P y N agregando al dopante el semiconductor poniendo en contacto porciones de los mismos y calentar el conjunto para formar la estructura...