Electrónica

Instituto Tecnológico Superior Progreso

Ingeniería Electromecánica

UTM 2x3 2010

Práctica 1

Integrantes:

Pacheco Sansores Juan
Durán Canul Martin
Puch Tuz Carlos
Pech Brito AngelArcique Uicab Miguel
Espadas Mézquita Miguel

Electrónica Industrial

Marco teórico.

El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio (figura 1), es undispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo escontrolada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
          
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 Figura 1: Símbolo del  SCR.

   
 
 
 
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  Figura 2: Estructura  básica del  SCR.

Características generales.
 
            • Interruptorcasi ideal.
            • Soporta tensiones altas.
            • Amplificador eficaz.
            • Es capaz de controlar grandes potencias.
            • Fácil controlabilidad.
            •Relativa rapidez.
            • Características en función de situaciones pasadas
(memoria).

Área de disparo seguro.
               
En esta área (figura 3) se obtienen lascondiciones de disparo del SCR. Las tensiones y  corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las  curvas:
•    Curva A y B: límite superior einferior de la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de ánodo.
•    Curva C: tensión directa de pico admisible VGF.
•    Curva D:hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar.
 
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Figura 3. Curva características de puerta del tiristor.

Ángulos de conducción:

- La corriente y tensión media de...