electrica

Introducción:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P y una tipo N. Alprimero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.

Tipos de transistores: Para la polarización las terminales que se muestran en la figura anterior se indican mediante lasliterales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La abreviatura BJT, del transistor bipolar de unión (del Inglés, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tresterminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador(electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Configuración de Base Común
Para la configuración de base común con transistores PNP y NPN. La terminología de la base común sederiva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial detierra. En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base se polariza directamente, la región activa se define mediante los arreglos depolarización, en el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector y se debe a la corriente de saturación inversa .










1.Parte:

Con los siguientes datos diseñe un amplificador.
Vin: 10V, Rc: 1k, Q: 2n2222a, beta: 215.

a. Encuentra R1 para que el transistor trabaje en laregión activa.


Este circuito se demostró didácticamente el valor de la resistencia r1 que pone al transistor en la región activa para ello vimos en la recta carga que el voltaje máximo es...