electricidad digital

CARAaERísTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Los dispositivos semi conductores de potencia se pueden trabajar como conmutadores, aplicando
señales de control a la terminal de compuertade los tiristores (y a la base de los transistores bipolares).
La salida necesaria se obtiene haciendo variar el tiempo de conducción de estos dispositivos
de conmutación. La figura 1.9 muestra losvoltajes de salida y las características de control
de los dispositivos conmutadores de potencia que se usan en forma común. Una vez que un tiristor
está en modo de conducción, la señal decompuerta, de magnitud positiva o negativa, no tiene
1.3 Características de control de los dispositivos de potencia 11
TABLA 1.2 Capacidades de dispositivos semiconductores de potencia
FrecuenciaResistencia en
Tipo de Capacidad de máxima Tiempo de estado cerrado
dispositivo Dispositivo corriente/voltaje (Hz) conmutación (us) (O)
Diodosde Diodos de Propósito 4000 V/45OOA 1k 50-100 0.32 m
potenciapotencia general 6000 V/3500 A 1k 50-100 0.6m
600 V/9570 A 1k 50-100 0.1 m
2800 V/1700 A 20k 5-10 0.4 m
Alta velocidad 4500 V/1950 A 20k 5-10 1.2 m
6000 V11100A 20k 5-10 1.96 m
6OOV/17A 30k 0.20.14
Schottky 150V/80 A 30k 0.2 8.63 m
Transistores Transistores Sencillo 4ooV/250A 25 k 9 4m
de potencial bipolares 400 V/40 A 30 k 6 31m
630 V/50 A 35 k 2 15m
Darlington 12ooV/4ooA 20 k 30 10mMOSFET Sencillos 8ooV/7.5A 100 k 1.6 1
COOLMOS Sencillos 800 V/7.8 A 125 k 2 1.2 m
600 V/40 A 125 k 1 0.12 m
1oooV/6.1A 125 k 1.5 20
IGBT Sencillos 2500 V/2400 A 100 k 5-10 2.3m
1200 V/52 A 100 k5-10 0.13
1200V/25 A 100 k 5-10 0.14
1200 V/80 A 100 k 5-10 44m
1800 V/2200 A 100 k 5-10 1.76 m
SIT 12ooV/300A 100 k 0.5 1.2
TIristores Tiristores Conmutados 6500 V/4200 A 60 100-400 0.58 m(rectifica- de control por línea, baja 2800 V/1500 A 60 100-400 0.72 m
dores de fase velocidad 5000 V/4600 A 60 100-400 0.48 m
controlados) 5000 V/3600 A 60 100-400 0.50 m
de silicón 5000 V/5000 A 60...