electricidad

Mosfet e igbt





II. Aprendizajes Esperados:
Reconocer la configuración y polarización de los transistores bipolares, MOSFET e IGBT
III. Síntesis esquemática de Contenidos





IV. Actividades (individuales o grupales)
MOSFET - MOS-FET

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuertaaislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)
En elMOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por unatensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay

Principio de operación de un MOSFET
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión enla compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones paraque aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente sonatraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente escontrolada por la tensión aplicada a la compuerta.
Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas es convencional, no la del flujo de electrones.
Manipulación del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. El aislamiento entre la compuerta y el canal es el dióxido de silicio (SiO2). Verel siguiente diagrama.

Esta capa aislante (área gris) es tan delgada que se si produjera un campo eléctrico fuerte, podría destruirse, es por eso que la manipulación del MOSFET es tan importante
Debido a la alta resistencia de la capa de dióxido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa rápidamente, sino que se acumula. Esta acumulación de carga puede producir un campo eléctricodestructivo.
El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estáticas durante la manipulación del mismo en un día seco. También causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no están aislados de la línea de corriente alterna (C.A.).
Para evitar que el MOSFET se dañe de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con...