Electronica
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
ENERO 2006
MAPP/MAPP
Actualizado por: Ing. Manuel Pérez P. ENERO DE 2006 UNEFA – NÚCLEO MARACAY. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – PRÁCTICA 1
PRÁCTICA Nº1 ESTUDIO DE LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL BJT
Objetivo: Determinar experimentalmente las curvas características de entrada y salida de un BJT en la configuración Emisor Común. Materiales: 2N3904, 2N3906, 1N4007, 2 potenciómetros (variados). Pre‐Laboratorio: ‐ Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N3906 la curva de máxima potencia, así como también las curvas características de entrada y de salida de cada transistor. ‐ Simule los circuitos de las figuras 1 y 2 y obtenga las gráficas de entrada y salida para los valores de Vce e Ib mostrados en la tabla 1. Vce Vce Ib Ib Q2N3904 Q2N3906 0 0 0 0 FIGURA 1 FIGURA 2 Procedimiento: 1. Análisis de las curvas características de entrada de un BJT en configuración emisor común. Monte el siguiente circuito:
R1
100k
Q2N3904
10V
10V
Rs
Ro
0
FIGURA 3
Para los valores fijos mostrados en las tablas 1 y 2 de Vce e Ib, mida los valores de Ic y Vbe y escríbalos en una tabla como la mostrada a continuación:
2
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Vce / Ib 0V 2,5V 5V 7,5V 10V
0A Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic=
15µA Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic=
30µA Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic=
45µA Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic=
60µA Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic= Vbe= Ic=
Repita el procedimiento anterior par el circuito de la siguiente figura:
R1
100k
Q2N3906
-10V
-10V
Rs
Ro0
FIGURA 4
2. Análisis de las curvas características de salida de un BJT en configuración emisor común.
Canal A
V
Q2N3904 R1 10k
D1N4007
6,3V R2 10V Rs 220 Canal B
V
0
FIGURA 5
3
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Monte el circuito de la figura 5, luego ajuste el osciloscopio en modo X‐Y y dibuje las curvas de Ic en función de Vce e Ib para los siguientes valores de Ib: 25µA, 50µA, 75µA, 100µA, 150µA, 200µA, 300µA.
Canal A
V
D1N4007
Q2N3904
R1 10k
6,3V
R2
-10V
Canal B
Rs
220
V
0
FIGURA 6
Para el circuito de la figura 6 repita el procedimiento del apartado anterior. Post‐Laboratorio: 1. En un solo gráfico dibuje las curvas de entrada de Q1 2. En un solo gráfico dibuje las curvas de entrada de Q2 3. En un solo gráfico dibuje las curvas de salida de Q1 4. En un solo gráfico dibuje las curvas de salida de Q2 5. Compare cada una de las curvas anteriores con las proporcionadas por el fabricante. 6.En función de los datos dados por el fabricante, trace en los gráficos de los pasos 3 y 4 las hipérbolas de máxima potencia para cada transistor. 7. Analice los resultados obtenidos y concluya.
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