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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA  MINISTERIO DE LA DEFENSA  UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA NACIONAL  NÚCLEO MARACAY  DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA   

                       

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I 
                                  ENERO 2006     
MAPP/MAPP 

Actualizado por: Ing. Manuel Pérez P.  ENERO DE 2006  UNEFA – NÚCLEO MARACAY. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA  LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – PRÁCTICA 1     

 

PRÁCTICA Nº1   ESTUDIO DE LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL BJT   
  Objetivo: Determinar experimentalmente las curvas características de entrada y salida de  un BJT en la configuración Emisor Común.    Materiales:  2N3904, 2N3906, 1N4007, 2 potenciómetros (variados).    Pre‐Laboratorio:  ‐ Obtenga  de  la Hoja  de  Datos  de  los  BJT  2N3904  y  2N3906  la  curva  de  máxima  potencia, así como también las curvas características de entrada y de salida de cada  transistor.  ‐ Simule los circuitos de las figuras 1 y 2 y obtenga las gráficas de entrada y salida  para los valores de Vce e Ib mostrados en la tabla 1.     Vce Vce     Ib Ib   Q2N3904 Q2N3906     0 0 0 0                                   FIGURA 1                                                         FIGURA 2  Procedimiento:  1.  Análisis  de  las  curvas  características  de  entrada  de  un  BJT  en  configuración  emisor  común.  Monte el siguiente circuito: 

R1

100k

Q2N3904

10V

10V

Rs

Ro

0

FIGURA 3 

 

Para los valores fijos mostrados en las tablas 1 y 2 de Vce e Ib, mida los valores de Ic y Vbe y escríbalos en una tabla como la mostrada a continuación:     

2

Actualizado por: Ing. Manuel Pérez P.  ENERO DE 2006 

UNEFA – NÚCLEO MARACAY. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA  LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – PRÁCTICA 1     

  Vce / Ib  0V  2,5V  5V  7,5V  10V 

0A  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic= 

15µA  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic= Vbe=      Ic= 

30µA  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic= 

45µA  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic= 

60µA  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic=  Vbe=      Ic= 

  Repita el procedimiento anterior par el circuito de la siguiente figura: 

R1

100k

Q2N3906

-10V

-10V

Rs

Ro0

FIGURA 4   

 

2.  Análisis  de  las  curvas  características  de  salida  de  un  BJT  en  configuración  emisor  común. 
Canal A
V

Q2N3904 R1 10k

D1N4007

6,3V R2 10V Rs 220 Canal B
V

0

 

 
FIGURA 5 

3

Actualizado por: Ing. Manuel Pérez P.  ENERO DE 2006 

UNEFA – NÚCLEO MARACAY. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – PRÁCTICA 1     

Monte  el  circuito  de  la  figura  5,  luego  ajuste  el  osciloscopio  en  modo  X‐Y  y  dibuje  las  curvas de Ic en función de Vce e Ib para los siguientes valores de Ib: 25µA, 50µA, 75µA,  100µA, 150µA, 200µA, 300µA.   
Canal A
V

D1N4007
Q2N3904
R1 10k
6,3V

R2

-10V

Canal B
Rs
220
V

0
FIGURA 6 

 

 Para el circuito de la figura 6 repita el procedimiento del apartado anterior.    Post‐Laboratorio:  1. En un solo gráfico dibuje las curvas de entrada de Q1  2. En un solo gráfico dibuje las curvas de entrada de Q2  3. En un solo gráfico dibuje las curvas de salida de Q1  4. En un solo gráfico dibuje las curvas de salida de Q2  5. Compare  cada  una  de  las  curvas  anteriores  con  las  proporcionadas  por  el  fabricante.  6.En función de los datos dados por el fabricante, trace en los gráficos de los pasos 3  y 4 las hipérbolas de máxima potencia para cada transistor.  7. Analice los resultados obtenidos y concluya. 

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Actualizado por: Ing. Manuel Pérez P.  ENERO DE 2006 

UNEFA – NÚCLEO MARACAY. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA  LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – PRÁCTICA 2   ...
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