ELECTRONICA

ELABORO: ING. JOSE MARIA SERAFIN GRACILIANO

11/10/13

En el análisis de circuitos electrónicos, específicamente en aquellos que utilizan dispositivos
discretos (diodos, transistores, Fet's, etc.), se emplean comúnmente técnicas básicas que no
requieren de un tratamiento matemático complejo, ya que frecuentemente se requieren
resultados rápidos con una aproximación lo suficientementeexacta que permita evaluar el
comportamiento del circuito. Claro esta, no se menosprecia los métodos matemáticos
complejos. Sin embargo hay que marcar los limites y enfoques de los análisis a efectuarse.
En el caso de desarrollo de nuevos dispositivos, o la optimización de circuitos es ventajoso
emplear técnicas de análisis apoyadas en Cálculo, transformadas o Series de Fourier.
En cambio, parauna evaluación efectiva, rápida y práctica es suficiente el manejo del Álgebra,
pero conjuntamente con las propiedades de los teoremas, principios fisicoquímicos de los
dispositivos y técnicas de fabricación de los mismos. Esta premisa parte de que ya en
pruebas de laboratorio, los valores obtenidos teóricamente, difícilmente se obtienen en la
práctica. Prueba de ello es que los fabricantes deequipos conceden una tolerancia en los
valores marcados en los diagramas esquemáticos proporcionados.
A pesar de lo afirmado anteriormente, es importante tener en cuenta que entre mas se
conozca el comportamiento de un dispositivo, la desviación de los valores teóricos de los
reales, o en otras palabras la desviación del comportamiento esperado del real puede ser
minimizado en el laboratorio,si se determinan las causas probables del efecto presentado.
En electrónica analógica existe una gran variedad de circuitos cuya característica depende de
factores tales como: valores propios del dispositivo (ganancia de corriente, tiempos de
ascenso o descenso, respuesta a la frecuencia, etc.), corrientes de polarización,
configuraciones que lo conforman, etc.
Independientemente de cualcircuito se trate, el análisis de él se inicia siempre con el cálculo
de las condiciones de polarización, ya que en esta se fundamentan en gran parte las
condiciones eléctricas del circuito.
Existen básicamente dos formas de polarizar al transistor; polarización por divisor de voltaje y
polarización por retroalimentación de colector, cada una de ellas proporciona ventajas y
desventajas. Ladeducción de las expresiones que permiten obtener los valores de reposo
para estos dos arreglos se da a continuación:
La figura 1 muestra un arreglo básico y generalizado de un transistor, conocido como
polarización por divisor de corriente.
Calculo de R B y VBB
Se simplifica la red de polarización R1  R 2  aplicando el teorema de Thevenin en las
terminales A-B marcadas en el circuito,encontrándose la fuente de voltaje equivalente VTH  y
la impedancia correspondiente RTH  que para el caso de circuitos con transistores se
denominan R B y VBB .

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Figura 1

Rb  R1 // R2
VBB  VCC

(1)

R1
R1  R2

(2)

Una vez reducido el circuito se procede a determinar las condiciones de reposo. Para esto seinicia determinando I CQ y posteriormenteVCEQ .
Calculo de I CQ .
De la malla de entrada se obtiene la ecuación:

VBB  iB R b  VBE  iE R e

(3)

por definición:



IC
I
 IB  C
IB


(4)

La ecuación de corrientes en el transistor es:

I E  I B  IC 

   1
 IC  IC 
  





IC

(5)

Sustituyendo las ecuaciones 4 y 5 en la ecuación 3, esta seconvierte en:

   1
R B  VBE  i C R e 
  




Resolviendo para i C :
VBB 

iC

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I CQ 

VBB VBE
   1
Rb
 Re 
  





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(6)

Calculo de VCEQ
De la malla de salida se obtiene la siguiente ecuación:

VCC  iC Rc  vCE  iE R e

(7)

sustituyendo la ecuación 4 en...