electronica

Zener


Diodo Zener
Diodo Emisor de Luz (LED)
Diodo Emisor de Luz Infrarroja (IRD)
Fotodiodo
Diodo Láser
Diodo Schottky
Diodo Túnel
Diodo PIN

ESTRUCTURA INTERNA.
Es la unión de dos semiconductores de cristal tipo P y N. los semiconductores son aislantes debido a que sus electrones están unidos por enlaces covalentes, cuando a un semiconductor se lo dopa aparecen cargaslibres que permiten la movilidad de los electrones. Si las impuresas provocan cargas libre o electrones libres el semiconductor es tipo N y si aparecen cargas positivas o huecos se denomina al semiconductor tipo P.
Curva caract: Debido a que en polarización inversa el diodo Zener presenta una región de tensión casi constante para un rango
amplio de corrientes (ver Fig. 6) se los utiliza paraobtener una tensión regulada. El circuito elemental se muestra en
la Fig. 7. Eligiendo la resistencia R y las características del diodo, se puede lograr que la tensión en la carga (RL)
permanezca prácticamente constante dentro de un rango de variación de la tensión de entrada VNR.





Diodo emisor de luz (LED)
Funcionamiento
Este diodo permite el paso de la corriente en un solo sentido, porlo cual cuando circula la misma por èl emite luz. Es decir que cuando esta polarizado directamente emite luz.

Estructura interna
Este tiene dos terminales de conexión una larga que debe ser conectada al polo positivo y una corta q debe ser conectada al polo negativo, de lo contrario no emitiría luz.
Estructura intena:
Estructura Interna
Un  diodo está compuesto por la unión de doscristales semiconductores, uno tipo “P” y otro tipo “N”. Los semiconductores puros son aislantes debido a que sus átomos están unidos por enlaces covalentes y sus electrones no tienen movilidad. Cuando un material semiconductor se dopa o contamina con pequeñísimas cantidades de impurezas adecuadas, aparecen cargas libres que permiten cierta
movilidad a los electrones. Si las impurezas añadidas originancargas negativas o electrones libres, el semiconductor se denomina tipo “N” y en el caso contrario, cuando aparecen cargas positivas o huecos, se dice que el semiconductor es del
tipo “P”.
Cuando una unión P-N esta inversamente polarizada, el campo eléctrico aplicado aleja a las cargas libres de la unión, impidiendo que ésta sea atravesada por los electrones. Si la polarización es directa, lascargas se aproximan a la unión, por
lo que puede ser franqueada fácilmente por las cargas eléctricas. 
http://electronicacecyt3.blogspot.com.ar/2012/02/estructura-interna.html
Foto-diodo
Es el encargado de capturar los impulsos luminosos, por cada intercambio de luz, envía impulsos eléctricos al microcontrolador
Estructura intena:
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN,sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y elnegativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
inducidas por foto-. Estuches de plástico son más vulnerables que los de metal.
Características
Los parámetros críticos de rendimiento de un fotodiodo incluyen:
 Responsividad La responsividad espectral es una relación de la fotocorriente generada para alimentar la luz incidente,expresada en A/W cuando se utiliza en modo de fotoconductora. La longitud de onda de la dependencia también puede ser expresado como una eficiencia cuántica, o la relación entre el número de portadores fotogenerados a fotones incidentes, una cantidad sin unidades. Oscuro corriente La corriente a través del fotodiodo en ausencia de luz, cuando se opera en el modo de foto-. La corriente oscura incluye...