electronica

Transistor de unijuntura UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra dematerial N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:  Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.



JFET
El Jafet es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento solo intervienen los portadoresmayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de canal N y de canal P. En ambos tipos de JFET, la corriente Id de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.

(Canal N) (Canal P)

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductortipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas deexclusión. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortándose la corriente para tensiones mayores que Vp. Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp.

MOSFET
MOSFET significa "FET de MetalOxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE)(ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
 
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente desalida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

Diodo Shockley
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley esun dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y símbolo se describen en la figuras 12.2.a y 12.2.b. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión J1 y J3 está polarizada en directa, y la unión J2 polarizada en inversa. En estas condiciones únicamente circula una corriente muy baja...