elementos electronico








PRACTICA 8. Configuración de Emisor común sin Resistencia en el Emisor



NOMBRE:


GRUPO:

AUTOEVALUACION:

EVALUACION:


Competencia particular 3:
Construye circuitosamplificadores y conmutadores básicos, utilizando la teoría de los transistores bipolares (BJT).

RAP 2: Desarrolla ejercicios con las diferentes configuraciones y polarizaciones de lostransistores

MATERIAL:
1. Transistor BJT BC547
2. Hojas técnicas de los transistores
3. Multímetro
4. Resistencias de diversos valores


INTRODUCCIÓN

Para que un BJT trabaje adecuadamente las dosuniones PN deben estar correctamente polarizadas con voltajes de CD externos. Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior de la estructura NPN. La región del emisor detipo N excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones de banda de conducción (libres). Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión B-E polarizada endirecta hacia la región de la base de tipo P muy delgada y levemente dopada. La base tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios. Un pequeño porcentaje del número totalde electrones libres se va hacia la base, dónde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de huecos. Cuando los electronesque se recombinaron con huecos como electrones de valencia abandonan la estructura cristalina, se transforman en electrones libres en el conductor de la base metálica y producen la corriente de baseexterna. La mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada eninversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de alimentación positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y...