Elpo
Páginas: 10 (2312 palabras)
Publicado: 6 de junio de 2012
Resumen—En esta investigación queremos Presentar herramientas de uso constante en la electrónica de potencia, que no solo trabajan de su manera habitual sino que con la inclusión de mayor potencia al sistema en el que están siendo usados, también adquieren unos comportamientos distintos que queremos presentar y analizar en el contexto de la electrónica de potencia, para controlar mejor loscomportamientos de estos mismos en sistemas de potencia y de alta frecuencia.
I. DIODOS DE CARBURO DE SILICIO
ESTOS DIODOS SON USADOS PARA CONDICINES EXTREMAS DE TEMPERATURA, CORRIENTE Y TENSION. Este material de fabricación de los Diodos tiene grandes ventajas en el uso de altas frecuencias debido a que su respuesta de acción es bastante rápida tanto para encenderlo como para apagarlo lo cualfacilita la aplicación en frecuencias altas como las de microondas. Ademas este diodo tiene menores perdidas en su juntura lo que lo hace mas eficiente, este voltaje de umbral es típicamente de 0.2V a 0.4V.
Los diodos de carburo de silicio permiten aumentar la potencia de los módulos transmisión, lo cual los hace muy útiles para el uso en electrónica de potencia por que no solo ofrecen una muyBuena respuesta en frecuencia sino que también logran generar menos perdidas, y además con sus características térmicas , lo cual los hace muy útiles en aplicaciones con grandes corrientes y muy pocas perdidas de voltaje.
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altasfrecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodosconvencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguirresistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altosvoltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad deaplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde senecesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
Los diodos de silicio usados en fuentes de alimentación en modoconmutado suelen perder hasta un uno por ciento de eficiencia al no "apagarse" inmediatamente. Por este motivo, STMicroelectronics, esta entre las primeras compañías fabricantes de semiconductores, en introducir diodos de carburo de silicio (SiC) que ahorran la energía que se pierde durante la conmutación.
El diodo SiC encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como encomputadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo ausa poco gasto de energía.
Otro beneficio de los diodos SiC es que al permitir un mayor desempeño en aplicaciones de alta frecuencia ayuda a que las capacitancias e inductancias necesitadas en los distintos circuitos de aplicacion disminuyan y por tanto tambien podemos ver un adisminucionen tamaños y costos finales de product tan solo trabajando a mas altas frecuencias.
La tecnologia SiC no tiene la molesta acumulacion de cargas de recuperacion en inverso durante el period de conduccion del diodo por eso la corriente de recuperacion inversa es practicamente nula y esto permite junto a las pocas caidas de tension que la discipacion de potencia sea menor y asi mismo la produccionde calor en los circuitos y esto es una gran ventaja en ahorro de energia y se aumenta la eficiencia del dispositivo.
Los diodos de recuperación rápida (fast recovery diodes) se diseñan para ser usados a
altas frecuencias disminuyendo considerablemente el tiempo de recuperación inversa.
Los diodos Schottky tienen unos tiempos de conmutación menores que los de Si. Suelen
utilizarse en...
I. DIODOS DE CARBURO DE SILICIO
ESTOS DIODOS SON USADOS PARA CONDICINES EXTREMAS DE TEMPERATURA, CORRIENTE Y TENSION. Este material de fabricación de los Diodos tiene grandes ventajas en el uso de altas frecuencias debido a que su respuesta de acción es bastante rápida tanto para encenderlo como para apagarlo lo cualfacilita la aplicación en frecuencias altas como las de microondas. Ademas este diodo tiene menores perdidas en su juntura lo que lo hace mas eficiente, este voltaje de umbral es típicamente de 0.2V a 0.4V.
Los diodos de carburo de silicio permiten aumentar la potencia de los módulos transmisión, lo cual los hace muy útiles para el uso en electrónica de potencia por que no solo ofrecen una muyBuena respuesta en frecuencia sino que también logran generar menos perdidas, y además con sus características térmicas , lo cual los hace muy útiles en aplicaciones con grandes corrientes y muy pocas perdidas de voltaje.
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altasfrecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodosconvencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguirresistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altosvoltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad deaplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde senecesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
Los diodos de silicio usados en fuentes de alimentación en modoconmutado suelen perder hasta un uno por ciento de eficiencia al no "apagarse" inmediatamente. Por este motivo, STMicroelectronics, esta entre las primeras compañías fabricantes de semiconductores, en introducir diodos de carburo de silicio (SiC) que ahorran la energía que se pierde durante la conmutación.
El diodo SiC encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como encomputadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo ausa poco gasto de energía.
Otro beneficio de los diodos SiC es que al permitir un mayor desempeño en aplicaciones de alta frecuencia ayuda a que las capacitancias e inductancias necesitadas en los distintos circuitos de aplicacion disminuyan y por tanto tambien podemos ver un adisminucionen tamaños y costos finales de product tan solo trabajando a mas altas frecuencias.
La tecnologia SiC no tiene la molesta acumulacion de cargas de recuperacion en inverso durante el period de conduccion del diodo por eso la corriente de recuperacion inversa es practicamente nula y esto permite junto a las pocas caidas de tension que la discipacion de potencia sea menor y asi mismo la produccionde calor en los circuitos y esto es una gran ventaja en ahorro de energia y se aumenta la eficiencia del dispositivo.
Los diodos de recuperación rápida (fast recovery diodes) se diseñan para ser usados a
altas frecuencias disminuyendo considerablemente el tiempo de recuperación inversa.
Los diodos Schottky tienen unos tiempos de conmutación menores que los de Si. Suelen
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