ESTROBOS Y TORRETA

Páginas: 6 (1274 palabras) Publicado: 27 de agosto de 2013








EL DIODO COMO OPERADOR ELEMENTAL EN CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS.


En esta sección se presentará la unidad didáctica de los diodos, así como sus aplicaciones.



PERSPECTIVA:

La electrónica como ciencia experimental y parte tecnológica, para su enseñanza aprendizaje es necesario hacer referencia a las bases teóricas de un constructivismo que tienda a la estructura cognitivadel alumno de tal manera que él realice las aplicaciones.
Es por esto que es necesario

posea unos conocimientos mínimos sobre Circuitos Eléctricos; en concreto,
los conocimientos básicos sobre esta temática, dinámico, abierto y flexible a las
necesidades educativas del alumnado; es decir, como un material “auto-correctivo”,
que favorezca el aprendizaje de los alumnos y alumnas endiferentes situaciones


POLARIZACIÓN DEL DIODO:

Partiendo de la física del estado sólido, el diodo es un semiconductor formado por dos estructuras, una de tipo P y otra de tipos N, el material de tipo P está formado de átomos de silicio y átomos de impureza trivalentes tales como el boro, que cuando agrega un hueco cuando se enlaza con los átomos de silicio. Ahora cuando el número de protones yelectrones son iguales en toda la estructura entonces no existe carga total en el material y por lo tanto se dice neutro.

El material de silicio tipo N, está formado de átomos de silicio y átomos de impureza pentavalentes como el antimonio, cuando este átomo de impureza libera un electrón cuando se enlaza a cuatro átomos de silicio entonces el número de electrones y protones es igual y por lotanto la carga total en el material es neutra.

Sí un trozo de silicio intrínseco se dopa de tal manera que se forma una parte de tipo P y otra de tipo N formando unión de tipo PN y entre los límites de las dos regiones se crea un diodo como se muestra en la gigura 1-17(a)






De la estructura del diodo

El material semiconductor es un material que a bajas temperaturas presenta unaestructura electrónica caracterizada por una banda de valencia totalmente ocupada y una banda de conducción vacía. La impurificación de estos semiconductores con
elementos cuya configuración electrónica sea de un electrón más o menos con respecto al
elemento base del semiconductor nos proporciona un material semiconductor que
denominamos extrínseco, cuya configuración electrónica se ve modificadacon respecto a la
del semiconductor puro. Si la impureza aporta un electrón de más, éste se ubicará a una
temperatura suficientemente alta en la banda de conducción proporcionando una banda de
conducción no vacía sino con electrones (semiconductor tipo N). Análogamente si la
impureza aportase un electrón de menos, el semiconductor tendría electrones de menos en la
banda de valencia(semiconductor tipo N). Estos semiconductores tienen la importante
propiedad de que es posible modificar su conductividad eléctrica dependiendo del tipo y de la
concentración de impurezas presentes en el material.
Teniendo esto en cuenta, un LED está constituido por dos materiales semiconductores
impurificados con diferente tipo de impureza, tipo N y tipo P. Estos materiales se juntan
formando un diododenominado unión P-N.
Un ejemplo clásico de semiconductores P y N lo constituye el germanio o silicio
impurificados con distintos elementos denominados aceptores (In ó B en Ge) y donores (P ó
As en Ge).
La estructura atómica y e






















Actividades de enseñanza/aprendizaje






Figura 2.- Diodo de Fleming.



El símbolo que se le asigna aldiodo, como componente de un circuito electrónico,
es el de la figura 5. Si se mide la intensidad (I) que atraviesa un diodo, para distintos
valores de tensión (V) aplicada, se obtiene, de forma aproximada, la gráfica I–V de la
figura 6. Interpreta, a partir de esa gráfica, el comportamiento del diodo para valores
de V.


















PRACTICA 01

ESTROBO CON LEDS MEGA Y...
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