Estructura Y Operaciones De Las Memorias

Estructuras y operaciones básicas de las memorias:

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS


La función básica de las memorias es almacenar información. Estas memorias cuentan con una función específica de escribir y leer los datos en su interior. como su nombre lo indica, define la posición de escribir o leer, las entradas y salidas de datos respectivamente, la entrada WE’ controla el tipo de operaciónque la memoria debe hacer y la entrada OE’ corresponde a la señal de habilitación de la memoria, la cual habilita o deshabilita la memoria para responder a las demás entradas.
Las operaciones básicas de una memoria consisten en leer y almacenar información mediante el uso del bus de datos y direcciones. Estas operaciones ocurren en un orden lógico, el cual se indica a continuación:
- Apuntara la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones.
- Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.
- Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura)
- Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura)
- Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.
[pic]Memorias de Acceso Aleatorio
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, esdecir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica, las cuales se describen en las siguientes dos secciones.


Memoria RAM estática
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunquetambién existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.







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Como se observa en la figura la celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.
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SRAM Sincrónica
Al igual que en los sistemas sincrónicos, este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual lepermite operar en sincronía con otros dispositivos. Esta característica no aporta mejores beneficios, sin embargo simplifica enormemente el diseño de sistemas de alta prestaciones, ya que una única señal controla todos los dispositivos involucrados. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la señal de reloj, por lo queno es necesario ocuparse de generar las señales de control.
SRAM de Ráfaga
Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se caracterizan por incluir un contador que permite que la memoria genere internamente la dirección a la que debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro posiciones de memoria con una sola dirección de referencia. Esto permite acceder de forma más rápida ala información en memoria.

SRAM Pipeline
Con los dos tipos de memorias anteriores se consigue el acceso a posiciones consecutivas de forma rápida. Para mantener esta velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline incluyen un buffer para almacenar la dirección y los datos actuales proporcionados por la memoria.




Memoria RAM dinámica
Este tipo de memoria conocida comoDRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.



Memorias de Solo Lectura ROM
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM de...